一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法，涉及显示技术领域，使用该掩膜板形成膜层图案时，可有效减少内阴影的大小，从而提升膜层图案的制作质量，进而提升产品质量。一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口区和围绕所述开口区的本体区；所述本体区包括靠近所述开口区的过孔部，所述过孔部被配置为：在衬底上采用所述掩膜板形成膜层图案的情况下，膜层材料能穿过所述过孔部沉积在所述衬底对应所述开口区的区域内。本发明专利技术适用于掩膜板的制作。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极管)显示面板具有自发光特点，无需使用背光模组，相比液晶显示面板，可以做得更薄；同时，AMOLED显示面板还具有广视角、高刷新率、高对比度等特点，越来越受到市场追捧。在制作AMOLED显示面板时，采用OpenMask(开口掩膜板)进行膜层蒸镀或者沉积无机层。但是参考图1所示，采用OpenMask2在衬底1上形成无机膜层图案3时，OpenMask2的边缘会产生shadow(阴影)效应，导致无机膜层图案3出现内阴影A和外阴影B，从而降低无机膜层图案3的制作质量，进而影响产品质量。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种掩膜板及其制作方法、显示基板及其制作方法，使用该掩膜板形成膜层图案时，可有效减少内阴影的大小，从而提升膜层图案的制作质量，进而提升产品质量。为达到上述目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口区和围绕所述开口区的本体区；/n所述本体区包括靠近所述开口区的过孔部，所述过孔部被配置为：在衬底上采用所述掩膜板形成膜层图案的情况下，膜层材料能穿过所述过孔部沉积在所述衬底对应所述开口区的区域内。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，其特征在于，包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口区和围绕所述开口区的本体区；
所述本体区包括靠近所述开口区的过孔部，所述过孔部被配置为：在衬底上采用所述掩膜板形成膜层图案的情况下，膜层材料能穿过所述过孔部沉积在所述衬底对应所述开口区的区域内。


2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过孔部包括沿垂直于所述掩膜板方向交错相连设置的第一过孔和第二过孔，所述第二过孔到所述开口区的边缘的距离小于所述第一过孔到所述开口区的边缘的距离。


3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述过孔部包括斜向孔，所述斜向孔的中心线与所述掩膜板所在平面的夹角小于90度，所述斜向孔包括第一开口端和第二开口端，所述第二开口端到所述开口区的边缘的距离小于所述第一开口端到所述开口区的边缘的距离。


4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述开口区沿平行于所述掩膜板的截面形状为矩形；所述开口区的四周均设置所述过孔部。


5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，位于所述开口区四周的所有所述过孔部均不相连。


6.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述本体区包括半刻蚀区和与所述半刻蚀区相连的保留区；
其中，所述掩膜板位于所述半刻蚀区的部分沿垂直于所述掩膜板方向的厚度小于所述掩膜板位于所述保留区的部分沿垂直于所述掩膜板方向的厚度；
所述过孔部位于所述半刻蚀区。


7.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底以及形成在所述衬底之上的膜层图案，所述膜层图案采用权利要求1-6任一项所述的掩膜板形成。


8.一种如权利要求1-6任一项所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括开口区和围绕所述开口区的本体区；
所述方法包括：
在所述本体区形成靠近所述开口区的过孔部，所述过孔部被配置为：在衬底上采用所述掩膜板形成膜层图案的情况下，膜层材料能穿过所述过孔部沉积在所述衬底对应所述开口区的区域内。


9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述过孔部包括沿垂直于所述掩膜板方向交错相连设置的第一过孔和第二过孔；
所述在所述本体区形成靠近所述开口区的过孔部包括：
采用干法刻蚀工艺或者湿法刻蚀工艺形成沿垂直于所述掩膜板方向交错相连设置的所述第一过孔和所述第二过孔，所述第二过孔到所述开口区的边缘的距离小于所述第一过孔到所述开口区的边缘的距离。


10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述过孔部包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟，李慧，孙世成，郭钟旭，吴欣慰，李存智，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11