【技术实现步骤摘要】
基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构及其制作方法
本专利技术涉及微电子封装
,特别涉及一种基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构及其制作方法。
技术介绍
采用三维堆叠封装方式能显著减少电路中各个互连信号的延迟,提高系统高集成度,满足市场对芯片的多功能化、低加工成本等需求,是未来微电子封装领域的发展方向。然而,系统封装结构的微型化将导致功率密度的急剧升高,使得封装结构内各个芯片稳定工作时产生大量的热,难以有效散出,这也是制约微型化三维堆叠封装发展的主要原因之一。针对三维堆叠封装的散热问题,专利申请号201610810942.5的专利技术专利提出了一种使用风冷散热的三维堆叠封装结构进行散热。这种封装结构可以实现较好的散热,但存在如下问题:(1)芯片通过基板形式进行转接,会导致关于封装的尺寸(长度、宽度、厚度)的微型化受到局限,达不到系统进行三维封装结构的微型化目标;(2)三维堆叠封装体的强度减弱,由于各层基板在沿中心线区域设置较多的通孔,导致该结构的整体强度下降,在实际工况下容易导弯曲,甚至致断裂 ...
【技术保护点】
1.一种基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构,其特征在于,包括上层封装散热结构、下层封装散热结构和PCB;/n所述下层封装散热结构与所述PCB电连;所述上层封装散热结构与所述下层封装散热结构电连。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构,其特征在于,包括上层封装散热结构、下层封装散热结构和PCB;
所述下层封装散热结构与所述PCB电连;所述上层封装散热结构与所述下层封装散热结构电连。
2.如权利要求1所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构,其特征在于,所述上层封装散热结构包括若干上层芯片(101),所述上层芯片(101)通过上层塑封料(102)包封形成第一塑封体;
所述第一塑封体的正面设有上层RDL层(103),所述上层RDL层(103)对应位置上的UBM制作有上层焊球(104);所述上层芯片(101)通过所述上层RDL层(103)与所述上层焊球(104)连接;
所述第一塑封体的背面通过第一导热粘接胶(105)贴装有第一散热片(106),所述第一导热粘接胶(105)和所述第一散热片(106)覆盖所述第一塑封体的整个背面。
3.如权利要求2所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构,其特征在于,所述第一导热粘接胶(105)的固化温度高于所述上层塑封料(102)。
4.如权利要求1所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热结构,其特征在于,所述下层封装散热结构包括若干下层芯片(201),所述下层芯片(201)的背面通过第二导热粘接胶(205)贴装有第二散热片(206),并通过下层塑封料(202)包封形成第二塑封体;
所述第二塑封体的正面设有下层RDL层(203),所述下层RDL层(203)对应位置上的UBM制作有下层焊球(204);所述下层芯片(201)通过所述下层RDL层(203)与所述下层焊球(204)连接;
所述第二塑封体四周制作有TMV通孔(207),所述TMV通孔内通过电镀填充有铜(208)。
5.如权利要求4所述的基于圆片重构工艺的三维堆叠封装散热...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱思雄,李祝安,王成迁,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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