【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及红外探测器检测技术，具体指一种是利用热阻法检测红外焦平 面芯片的铟柱倒焊互连的连通性方法，它适用于对红外焦平面芯片倒焊互连工 艺中的铟柱倒焊互连质量的评估、检测。
技术介绍
随着红外焦平面技术的发展，大面阵长线列成为了碲镉汞红外光伏型焦平面探 测器的发展趋势。由于这些器件光敏元数目多密度大，光敏元与读出电路的互 连连通率及互连的质量成为器件性能的一个关键指标，检测互连铟柱的连通性 及其互连质量成为提高焦平面可靠性的有力手段，但目前在焦平面的制作过程 中，检测互连铟柱的连通性及其互连质量还基本处于空白阶段，往往是在后续 的焦平面成像中发现有成像质量不好然后再逐一排除材料或器件质量的影响、 电路性能的影响、杜瓦封装的影响以及制冷效果的影响等等，最后才能确定是 否为铟柱互连的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种检测红外焦平面器件铟柱互连质量的方法，解决目前铟柱 互连性能无法检测的技术问题。本专利技术利用热阻法检测红外焦平面器件铟柱互连情况。热阻rc/ w)的概念与电阻类似，为物体持续传热1w时，导热路径两端的温差。红外焦平面器件通过铟柱与读出电路互连...
【技术保护点】
一种热阻法检测红外焦平面互连铟柱连通性的方法，其特征在于：它采用红外热像仪（８）对被测的芯片表面成像，获得芯片表面的温度分布，进而获得铟柱阵列的倒焊互连质量的分布情况。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海燕，胡晓宁，李言谨，龚海梅，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。