一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络制造技术

本发明专利技术提供一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络，其能够解决功率合成及功放小型化的问题；一种微带薄膜电阻，其包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的TaN电阻和微带探针，TaN电阻紧贴陶瓷基板的边缘，TaN电阻连接微带探针，微带探针延伸至陶瓷基板的相对边缘；一种波导功率合成网络，包括功率分配网络、功放模块和功率合成网络，功率分配网络将微波信号分为同幅同相的N路信号，每路信号经功放模块分别放大后馈入功率合成网络，功率分配网络与功率合成网络的连接处上均设置有微带薄膜电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络
本专利技术涉及多路波导合成领域，具体而言，涉及一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络。
技术介绍
随着微波毫米波固态器件的发展，固态微波毫米波高功率放大技术引起了人们的广泛关注。由于单个MMIC输出功率能力有限，难于满足工程应用的要求，功率合成技术是获得大功率固态微波毫米波源的最重要、最有效途径。功率分配/合成技术性能的好坏直接影响到整个系统能量的分配和合成效率。行业中最常才用的合成方式有微带合成、径向合成及波导合成等方式。微带合成网络尺寸小，但是到了毫米波频段，插入损耗会变得非常大，而且功率容量也有限。径向合成在多路功率合成有先天的优势，插入损耗小，功率容量大，但是体积非常大，在小型化器件上应用有限制。众所周知，波导的损耗非常小，损耗随频率及物理尺寸变化较小。波导合成器属于平面结构，有利于芯片的安装及散热，非常适合在体积小的功率放大器中使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种微带薄膜电阻及其波导功率合成网络，其能够利于芯片的安装及散热，并且设计了微带线与波导之间的微带探本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微带薄膜电阻，其特征在于，包括陶瓷基板、设置在所述陶瓷基板上的TaN电阻和微带探针，所述TaN电阻紧贴所述陶瓷基板的边缘，所述TaN电阻连接所述微带探针，所述微带探针延伸至所述陶瓷基板的相对边缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种微带薄膜电阻，其特征在于，包括陶瓷基板、设置在所述陶瓷基板上的TaN电阻和微带探针，所述TaN电阻紧贴所述陶瓷基板的边缘，所述TaN电阻连接所述微带探针，所述微带探针延伸至所述陶瓷基板的相对边缘。


2.根据权利要求1所述的微带薄膜电阻，其特征在于，所述微带薄膜电阻设置在微波毫米波固态器件的E-T节的中心位置。


3.根据权利要求1所述的微带薄膜电阻，其特征在于，所述陶瓷基板为高导热材质的微带基片。


4.一种波导功率合成网络，包括功率分配网络、功放模块和功率合成网络，所述功率分配网络将微波信号分为同幅同相的N路信号，每路信号经功放模块分别放大后馈入所述功率合成网络，其特征在于，所述功率分配网络与所述功率合成网络的连接处上均设置有权利要求1-3中任一所述的微带薄膜电阻。


5.根据权利要求4所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述功率分配网络包括一级功率分配器和二级功率分配器，每个所述一级功率分配器的输出端连接一个所述二级功率分配器的输入端，所述微带薄膜电阻设置在所述二级功率分配器上。


6.根据权利要求5所述的波导功率合成网络，其特征在于，所述一级功率分配器的公共端口上设置有90°转角，所述一级功率分配器的输...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾华，
申请(专利权)人：成都玖信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51