一种半导体器件及形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明专利技术实施例通过在形成浮栅的过程中和形成浮栅后，增加形成氧化层的工艺步骤，并在后通过去除氧化层使得浮栅下方的柱状有源区的顶部的边缘形成为较为平滑的形状，由此，使得所述边缘相对于后续形成的控制栅导电结构深入到柱状浮栅之间的尖端区域的面的面积较大，减小上述两者之间的电场，避免在漏电流通过时，半导体器件被击穿。由此，可以提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件及形成方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的可靠性还需要提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法，能够提高半导体器件的可靠性。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次叠置的有源区基底、停止层、浮栅材料层及硬掩膜层；刻蚀预定区域的所述硬掩膜层和所述浮栅材料层至露出所述停止层，以形成分立的浮栅；沉积覆盖所述浮栅和所述停止层的第一氧化层；刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底，以形成凹槽；去除所述第一氧化层；氧化所述浮栅的表面，以形成第二氧化层；去除所述第二氧化层，以使得所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑。进一步地，所述浮栅的尺寸小于相邻所述凹槽之间的有源区基底的尺寸。进一步地，所述沉积覆盖所述浮栅的第一氧化层具体为采用原子层沉积法形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次叠置的有源区基底、停止层、浮栅材料层及硬掩膜层；/n刻蚀预定区域的所述硬掩膜层和所述浮栅材料层至露出所述停止层，以形成分立的浮栅；/n沉积覆盖所述浮栅和所述停止层的第一氧化层；/n刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底，以形成凹槽；/n去除所述第一氧化层；/n氧化所述浮栅的表面，以形成第二氧化层；/n去除所述第二氧化层，以使得所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括依次叠置的有源区基底、停止层、浮栅材料层及硬掩膜层；
刻蚀预定区域的所述硬掩膜层和所述浮栅材料层至露出所述停止层，以形成分立的浮栅；
沉积覆盖所述浮栅和所述停止层的第一氧化层；
刻蚀所述浮栅之间的第一氧化层、停止层和有源区基底，以形成凹槽；
去除所述第一氧化层；
氧化所述浮栅的表面，以形成第二氧化层；
去除所述第二氧化层，以使得所述浮栅下方的有源区基底的顶部边缘平滑。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浮栅的尺寸小于相邻所述凹槽之间的有源区基底的尺寸。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积覆盖所述浮栅的第一氧化层具体为采用原子层沉积法形成所述第一氧化层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为60-80埃。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述第一氧化层具体为采用湿法刻蚀工艺去除所述第一氧化层。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化所述浮栅的表面的方法包括：快速热氧化法、槽平面天线氧化法、等离子体注入氧化法及臭氧氧化法。


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【专利技术属性】
技术研发人员：韩亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12