NAND闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种NAND闪存器件及其制造方法，应用于半导体领域。该方法包括：在半导体衬底上形成有字线，所述字线的侧壁上形成有表面为亲水性的侧墙；在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层；对包含所述离子材料层的所述半导体衬底进行后续工艺，以形成包含源区、漏区以及位线在内的电学结构，所述后续工艺包含至少一次湿法清洗。在本发明专利技术实施例中，通过在字线侧壁上的侧墙的亲水性表面上形成疏水性的离子材料层，从而使半导体衬底在后续的湿法清洗工艺过程中，减小所述半导体衬底上字线上受到的表面张力，进而避免了字线因两侧受到的表面张力不同而发生倾斜/弯曲的问题，保证了字线的垂直形貌，改善了NAND闪存存储特性均一性。

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种NAND闪存器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体制程技术的发展，在存储装置方面已开发出存取速度较快的快闪存储器(flashmemory)。快闪存储器具有可多次进行信息的存入、读取和擦除等动作，且存入的信息在断电后也不会消失的特性，因此，快闪存储器已成为个人电脑和电子设备所广泛采用的一种非易失性存储器。而NAND(与非门)快速存储器由于具有大存储容量和相对高的性能，广泛用于读/写要求较高的领域。NAND闪存阵列通常包括多个块，每个块包含位于块中部的若干根字线以及位于两端且临近于字线的选择管。随着技术的发展，字线的尺寸不断微缩，以满足存储容量日益增长的需求。现有技术中，NAND闪存器件的制造方法是：利用字线硬掩膜版，通过光刻刻蚀工艺在半导体衬底上形成多根被空气隙隔离的字线；再利用刻蚀工艺在所述字线的侧壁上形成材料为二氧化硅的侧墙；以及，在NAND闪存器件形成的后续工艺中需要多次采用湿法清洗工艺去除所述衬底表面上的多余材料。然而，由于在所述湿法清洗工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有字线，所述字线的侧壁上形成有侧墙，所述侧墙的表面为亲水性；/n在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层；/n对包含所述离子材料层的所述半导体衬底进行后续工艺，以形成包含源区、漏区以及位线在内的电学结构，所述后续工艺包含至少一次湿法清洗。/n

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有字线，所述字线的侧壁上形成有侧墙，所述侧墙的表面为亲水性；
在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层；
对包含所述离子材料层的所述半导体衬底进行后续工艺，以形成包含源区、漏区以及位线在内的电学结构，所述后续工艺包含至少一次湿法清洗。


2.如权利要求1所述的NAND闪存的制造方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为至


3.如权利要求1所述的NAND闪存的制造方法，其特征在于，
在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层的步骤包括：
对所述侧墙背向所述字线的表层进行离子注入，以使得所述侧墙背向所述字线的表层转换为疏水性的离子材料层；
或者，在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层的步骤包括：在所述半导体衬底、所述侧墙和所述字线的表面上沉积疏水性的离子材料层；
或者，在所述侧墙背向所述字线的表面上形成疏水性的离子材料层的步骤包括：在所述半导体衬底、所述侧墙和所述字线的表面上沉积亲水性材料层，对所述亲水性材料层进行离子注入，以将其转化为疏水性的离子材料层。


4.如权利要求3所述的NAND闪存的制造方法，其特征在于，所述侧墙为单层结构，其材质为氧化物，或者，所述侧墙为由氧化物层和氮化物层依次堆叠而形成的叠层结构，且所述侧墙背向所述字线的最外层为氧化物层。


5.如权利要求1至4中任一项所述的NAND闪存的制造方法，其特征在于，所述离子注入的离子包括氮离子，所述离子材料层的材质包括氮化物和/或氮氧化物。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天舒，巨晓华，王奇伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31