半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够较佳地控制的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第1栅极电极，配设在与基板的表面交叉的第1方向；第1半导体膜，在第1方向延伸，且与多个第1栅极电极对向；第1栅极绝缘膜，设置在多个第1栅极电极与第1半导体膜之间；第2栅极电极，比多个第1栅极电极更远离基板；第2半导体膜，在第1方向延伸，且第1方向的一端连接于第1半导体膜，且与第2栅极电极对向；以及第2栅极绝缘膜，设置在第2栅极电极与第2半导体膜之间。第2栅极电极具备：第1部分；以及第2部分，设置在第1部分与第2半导体膜之间，且与第2半导体膜对向；且第2部分的至少一部分在第1方向上，设置在比第1部分的基板侧的面更靠基板侧。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请案]本申请案享有以日本专利申请案2019-39971号(申请日：2019年3月5日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。
以下所记载的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
已知有一种半导体存储装置，具备：基板；多个栅极电极，配设在与基板的表面交叉的第1方向；半导体膜，在第1方向延伸且与这些多个栅极电极对向；以及栅极绝缘膜，设置在多个栅极电极与半导体膜之间。
技术实现思路
实施方式提供一种能够较佳地控制的半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第1栅极电极，配设在与基板的表面交叉的第1方向；第1半导体膜，在第1方向延伸，且与多个第1栅极电极对向；第1栅极绝缘膜，设置在多个第1栅极电极与第1半导体膜之间；第2栅极电极，比多个第1栅极电极更远离基板；第2半导体膜，在第1方向延伸，且第1方向的一端连接于第1半导体膜，且与第2栅极电极对向；以及第2栅极绝缘膜，设置在第2栅极电极与第2半导体膜之间。第2栅极电极具备：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，具备：/n基板；/n多个第1栅极电极，配设在与所述基板的表面交叉的第1方向；/n第1半导体膜，在所述第1方向延伸，且与所述多个第1栅极电极对向；/n第1栅极绝缘膜，设置在所述多个第1栅极电极与所述第1半导体膜之间；/n第2栅极电极，比所述多个第1栅极电极更远离所述基板；/n第2半导体膜，在所述第1方向延伸，所述第1方向的一端连接于所述第1半导体膜，与所述第2栅极电极对向；以及/n第2栅极绝缘膜，设置在所述第2栅极电极与所述第2半导体膜之间；且/n所述第2栅极电极具备：/n第1部分；以及/n第2部分，设置在所述第1部分与所述第2半导体膜之间，且与所述第2半导体膜对向；/n...

【技术特征摘要】
20190305 JP 2019-0399711.一种半导体存储装置，具备：
基板；
多个第1栅极电极，配设在与所述基板的表面交叉的第1方向；
第1半导体膜，在所述第1方向延伸，且与所述多个第1栅极电极对向；
第1栅极绝缘膜，设置在所述多个第1栅极电极与所述第1半导体膜之间；
第2栅极电极，比所述多个第1栅极电极更远离所述基板；
第2半导体膜，在所述第1方向延伸，所述第1方向的一端连接于所述第1半导体膜，与所述第2栅极电极对向；以及
第2栅极绝缘膜，设置在所述第2栅极电极与所述第2半导体膜之间；且
所述第2栅极电极具备：
第1部分；以及
第2部分，设置在所述第1部分与所述第2半导体膜之间，且与所述第2半导体膜对向；
所述第2部分的至少一部分在所述第1方向上，设置在比所述第1部分的所述多个第1栅极电极侧的面更靠所述多个第1栅极电极侧。


2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其具备第3栅极电极，该第3栅极电极比所述第2栅极电极更远离所述基板，
所述第3栅极电极具备：
第3部分，在所述第1方向上与所述第2栅极电极的第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤弘康，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP