一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种半导体结构的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；形成层叠结构于所述第一多晶硅层上；形成保护层于所述层叠结构上；形成图案化的光阻层于所述保护层上，所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域上的所述保护层；移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构，以暴露出所述第二区域上的所述第一多晶硅层；移除所述图案化的光阻层；形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。本发明专利技术提出的半导体结构的制造方法可以保证层叠结构的完整性，提高半导体器件的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
随着市场对FLASH存储器件集成度要求的不断提高，传统FLASH器件数据存储的可靠性与器件的工作速度、功耗、尺寸等方面的矛盾日益凸现。SONOS存储器具有单元尺寸小、操作电压低、与CMOS工艺兼容等特点，SONOS技术的不断改进将推动半导体存储器向微型化、高性能、大容量、低成本等方向发展。可靠性作为半导体器件的一个重要指标，在器件的稳定、可靠运行中起着关键作用。在自对准(Self-Align)SONOS存储器中，SONOS是Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon即硅-氧化层-氮化层-氧化层-硅的缩写，ONO为Oxide-Nitride-Oxide即氧化层-氮化层-氧化层的缩写，SONOS存储器中通过ONO层存储信息，所以ONO层的稳定性对器件的稳定性很重要，而现有制造ONO栅极结构的方法容易使ONO层厚度受到影响，从而影响存储器件的稳定性。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺陷，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；/n形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；/n形成层叠结构于所述第一多晶硅层上；/n形成保护层于所述层叠结构上；/n形成图案化的光阻层于所述保护层上，所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域上的所述保护层；/n移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构，以暴露出所述第二区域上的所述第一多晶硅层；/n移除所述图案化的光阻层；/n形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；
形成第一多晶硅层于所述衬底上，所述第一多晶硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；
形成层叠结构于所述第一多晶硅层上；
形成保护层于所述层叠结构上；
形成图案化的光阻层于所述保护层上，所述图案化的光阻层暴露出所述第二区域上的所述保护层；
移除所述第二区域上的所述保护层及所述层叠结构，以暴露出所述第二区域上的所述第一多晶硅层；
移除所述图案化的光阻层；
形成第二多晶硅层于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。


2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述保护层为多晶硅保护层。


3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，移除所述图案化的光阻层之后，形成所述第二多晶硅层之前，还包括用于还原自然氧化层的还原步骤，其中，所述自然氧化层形成于所述第一区域上的所述保护层及所述第二区域上的所述第一多晶硅层上。


4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一区域为存储区，所述第二区域为运算区。


5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述层叠结构依次包括第一氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯永波，朱红波，王厚有，蔡明洋，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34