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本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明实施例通过在形成浮栅的过程中和形成浮栅后，增加形成氧化层的工艺步骤，并在后通过去除氧化层使得浮栅下方的柱状有源区的顶部的边缘形成为较为平滑的形状，由此，使得所述边缘相对于后续形成的控制栅导电...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。