器件芯片的制造方法技术

提供器件芯片的制造方法，能够抑制器件芯片的成本的高昂。器件芯片的制造方法包含如下的步骤：粘贴步骤(ST2)，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；分离步骤(ST3)，在实施了粘贴步骤(ST2)之后，将半导体锭分离而形成在半导体锭的一部分层叠在晶片上而得的层叠晶片和一部分被去除后的半导体锭；器件形成步骤(ST4)，在实施了分离步骤(ST3)之后，在层叠晶片的半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及分割步骤(ST5)，在实施了器件形成步骤(ST4)之后，将层叠晶片沿着分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
器件芯片的制造方法
本专利技术涉及器件芯片的制造方法。
技术介绍
在半导体器件芯片的制造工序中，使用如下的制造方法：在从硅锭切出的硅晶片上制作绝缘层和布线层而形成多个器件，将形成有器件的晶片薄化、分割而制造半导体器件芯片(例如参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2006-54483号公报在器件芯片的制造方法中，当代替硅晶片而在SiC(碳化硅)晶片上形成器件时，能够形成导通时的损耗和开关损耗小、能量效率高的功率元件和对高共振频率的悬臂加以利用的高灵敏度的传感器等。但是，SiC晶片较硬，因此存在薄化加工难、加工也花费时间的问题。另外，通过将SiC晶片薄化而被去除的部分会被废弃，因此在制造由昂贵的SiC晶片构成的器件芯片的情况下，器件的成本高昂。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供器件芯片的制造方法，能够抑制器件芯片的成本的高昂。根据本专利技术，提供器件芯片的制造方法，其中，该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：粘贴步骤，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；分离步骤，在实施了该粘贴步骤之后，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件芯片的制造方法，其中，/n该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：/n粘贴步骤，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；/n分离步骤，在实施了该粘贴步骤之后，将该半导体锭分离，从而形成该半导体锭的一部分层叠在该晶片上而得的层叠晶片和该一部分被去除后的半导体锭；/n器件形成步骤，在实施了该分离步骤之后，在该层叠晶片的该半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由该分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及/n分割步骤，在实施了该器件形成步骤之后，将该层叠晶片沿着该分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。/n

【技术特征摘要】
20190426 JP 2019-0862321.一种器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法具有如下的步骤：
粘贴步骤，将晶片粘贴于半导体锭的第1面上；
分离步骤，在实施了该粘贴步骤之后，将该半导体锭分离，从而形成该半导体锭的一部分层叠在该晶片上而得的层叠晶片和该一部分被去除后的半导体锭；
器件形成步骤，在实施了该分离步骤之后，在该层叠晶片的该半导体锭侧的正面上设定交叉的多条分割预定线，并且在由该分割预定线划分的各区域内分别形成器件；以及
分割步骤，在实施了该器件形成步骤之后，将该层叠晶片沿着该分割预定线进行分割而形成多个器件芯片。


2.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
在该分离步骤中，在从该半导体锭的位于粘贴有该晶片的该第1面的背面的第2面侧将对于该半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该半导体锭的内部的状态下照射该激光束而形成分离层，
对该分离层赋予外力，从而分离成该层叠晶片和该一部分被去除后的半导体锭。


3.根据权利要求1所述的器件芯片的制造方法，其中，
该器件芯片的制造方法还具有如下的激...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·韦，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP