用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路技术

本公开的实施例涉及用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路。公开了用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法和集成电路。在一个实施例中，集成电路包括：被组织成存储器字的行和列的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管；以及写入电路装置，该写入电路装置被配置为在编程阶段通过向不属于所选择的存储器字的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压来对所选择的存储器字进行编程。

【技术实现步骤摘要】
用于在EEPROM存储器中写入的方法及对应的集成电路相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月25日提交的法国专利申请号1904337的优先权，该申请通过引用并入本文。
实施例和实现方式涉及写入到EEPROM(“电可擦除可编程只读存储器”)存储器，具体是分压编程。
技术介绍
通常，通过包括擦除阶段和编程阶段的写入循环，将数字数据写入EEPROM存储器。EEPROM存储器通常包括存储器平面，存储器平面被组织成存储器字的行和列，每个存储器字包括存储器单元。常规地，存储器单元包括：具有浮置栅极和控制栅极的状态晶体管、以及用于将电压传输至状态晶体管的漏极的存取晶体管。存储器单元可以具有由浮置栅极的电荷限定的两个状态，并且因此能够记录数字数据的比特(例如，通常在擦除状态下为“0”，而在编程状态下为“1”)。擦除操作和编程操作通过借助Fowler-Nordheim效应将正电荷或负电荷注入到存储器单元的状态晶体管的浮置栅极上来实现。特别地，编程操作包括(按照惯例)将正电荷注入到存储器单元的状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法，所述非易失性存储器(NVM)包括以存储器字的行和列组织的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，所述方法包括：/n在编程阶段期间，通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压，对所述所选择的存储器字进行编程。/n

【技术特征摘要】
20190425 FR 19043371.一种用于对非易失性存储器(NVM)进行编程的方法，所述非易失性存储器(NVM)包括以存储器字的行和列组织的存储器平面，每个存储器字包括存储器单元，并且每个存储器单元包括具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管，所述方法包括：
在编程阶段期间，通过向不属于所选择的存储器字的所述存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加第一非零正电压，对所述所选择的存储器字进行编程。


2.根据权利要求1所述的方法，其中每个存储器单元还包括与所述状态晶体管串联的存取晶体管，所述存取晶体管被连接到相应位线，并且其中同一行的所述存取晶体管的栅极被耦合到字线，所述方法包括：
在所述编程阶段期间，向所选择的存储器单元的位线以外的位线以及未选择的行的字线施加所述第一非零正电压。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括：
选择所选择的行的字线电压，使得所述存取晶体管能够通过非零正编程电压；以及
利用所述非零正编程电压对所述所选择的存储器单元进行编程，
其中未选择的存储器单元的所述位线上的所述第一非零正电压足够高，使得栅极-漏极电压不会使所述存取晶体管劣化。


4.根据权利要求3所述的方法，其中所述非零编程电压为11V，其中所述字线电压为14V，并且其中所述第一非零正电压为4V。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述编程阶段期间，向源极平面或源极线施加源极电压，其中所述源极电压等于所述第一非零正电压，并且其中所述存储器平面包括：耦合到所述状态晶体管的源极区域的所述源极平面或所述源极线。


6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一非零正电压在3伏与5伏之间。


7.根据权利要求1所述的方法，其中所述编程是所选择的存储器单元的分压编程，其中所述分压编程包括：向所述所选择的存储器单元的状态晶体管的控制栅极施加非零负编程电压，并且向所述所选择的存储器单元的所述状态晶体管的漏极区域施加非零正编程电...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·塔耶，M·巴蒂斯塔，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR