具有减少的存储器通道流量的存储器系统及其操作方法技术方案

存储设备包括具有多个存储器块的非易失性存储器(NVM)设备和配置为响应于接收到对应命令而执行回写读取操作的控制电路。控制电路通过从多个存储器块的源存储器块中读取页数据，从读取页数据生成校正子，输出校正子，响应于输出校正子接收错误位置数据，使用接收的错误位置数据校正读取页数据，并且将校正的读取页数据写入多个存储器块中的目标存储器块，执行回写读取操作。

【技术实现步骤摘要】
具有减少的存储器通道流量的存储器系统及其操作方法
本专利技术构思的示例性实施例通常涉及存储器设备(memorydevice)，并且更具体地涉及在存储器设备中执行回写(copy-back)操作。
技术介绍
在固态设备(SSD)中，数据以称为页的单元存储。页单元的大小是有限的，只有在为空时才能写入。因此，要向已经包含数据的页写入，必须首先擦除该页。每个页都属于称为存储器块的页组。虽然以页为单元写入数据，但是以块为单元擦除数据。在SSD内，SSD控制器利用闪存转换层(FlashTranslationLayer，FTL)，其协调NAND闪存和主机系统之间的通信。利用FTL，SSD实现逻辑到物理的映射方案，称为逻辑块寻址(LogicalBlockAddressing，LBA)。通过使用FTL和LBA，物理NAND写入不需要直接对应于主机系统请求的空间。因此，SSD不擦除包括主机系统请求的特定页的存储器块，并覆盖特定页中的旧数据，而是将新数据写入下一个可用页，然后将旧数据标记为无效。不幸的是，这种存储数据的方式导致有效数据碎片式存储(fragmen本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储设备，包括：/n非易失性存储器NVM设备，包括多个存储器块和控制电路，所述控制电路被配置为响应于接收到对应命令而执行回写读取操作，/n其中，所述控制电路通过从所述多个存储器块中的源存储器块读取页数据，从读取的页数据生成校正子，输出校正子，响应于输出校正子而接收错误位置数据，使用接收的错误位置数据校正读取的页数据，并且将经校正的读取的页数据写入所述多个存储器块中的目标存储器块，来执行回写读取操作。/n

【技术特征摘要】
20190416 US 16/385,5741.一种存储设备，包括：
非易失性存储器NVM设备，包括多个存储器块和控制电路，所述控制电路被配置为响应于接收到对应命令而执行回写读取操作，
其中，所述控制电路通过从所述多个存储器块中的源存储器块读取页数据，从读取的页数据生成校正子，输出校正子，响应于输出校正子而接收错误位置数据，使用接收的错误位置数据校正读取的页数据，并且将经校正的读取的页数据写入所述多个存储器块中的目标存储器块，来执行回写读取操作。


2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，从所述存储设备的存储器控制器接收所述命令，将所述校正子输出到所述存储器控制器，并且将所述错误位置数据从所述存储器控制器输出到所述控制电路。


3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述NVM设备是连接到通道的多个NAND设备中的一个，所述通道还连接到所述设备控制器，所述源存储器块是所述多个NAND设备中的一个NAND设备的存储器块中的第一个，所述目标存储器块是同一个NAND设备的存储器块中的第二个。


4.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制电路通过将所述错误位置数据中引用的读取页数据的位反相来校正读取页数据。


5.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述控制电路在将所述校正子输出到所述设备控制器之前对所述校正子进行压缩。


6.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器向所述控制电路发送源地址和目标地址，所述控制电路从所述源地址所标识的源存储器块读取页数据，并且所述控制电路将经校正的页数据写入所述目标地址所标识的目标存储器块。


7.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器对所述校正子执行错误校正编码操作以生成所述错误位置数据。


8.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述存储器控制器在将所述错误位置数据输出到所述控制电路之前对所述错误位置数据进行压缩。


9.根据权利要求8所述的存储设备，其中，所述控制电路对压缩的错误位置数据进行解压缩，并且使用解压缩的错误位置数据对读取的页数据进行校正。


10.根据权利要求5所述的存储设备，其中，所述存储器控制器对压缩的校正子进行解压缩，并且对解压缩的校正子执行错误校正编码操作，以生成所述错误位置数据。


11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制电路在执行回写...

【专利技术属性】
技术研发人员：A伯曼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR