块中不同字线上的每单元具有不同位的存储器设备制造技术

本发明专利技术题为“块中不同字线上的每单元具有不同位的存储器设备”。本发明专利技术描述了用于将存储器设备配置有多个操作模式的参数的技术，所述多个操作模式包括每单元M位操作模式和每单元N位操作模式。参数可以存储在存储器设备的ROM存储位置中，并且在使存储器设备通电时加载到寄存器中。参数可以由状态机基于从控制器接收的命令序列来访问。命令序列可以包括一个或多个指定操作模式的前缀命令，例如，每单元位数、指定操作类型的命令、和要在其上执行操作的存储器单元的地址。状态机可以容易地在访问不同模式的参数之间进行切换，而控制器不包括命令序列中的参数。

【技术实现步骤摘要】
块中不同字线上的每单元具有不同位的存储器设备
技术介绍
本技术涉及存储器设备的操作。半导体存储器设备已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可以用于此类存储器设备中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的叠堆。存储器设备包括存储器单元，这些存储器单元可被串联布置成NAND串(例如，NAND链)，例如，其中选择栅极晶体管设置在NAND串的末端以选择性地将NAND串的沟道连接到源极线或位线。然而，在操作此类存储器设备时存在各种挑战。附图说明图1是示例存储器设备的框图。图2是描绘图1的感测块51的一个实施例的框图。图3描绘了图1的用于向存储器单元块提供电压的功率控制模块115的示例性实现方式。...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n块，所述块包括连接到一组字线的多个存储器单元；/n第一参数存储位置，所述第一参数存储位置包括每存储器单元M位模式的参数；/n第二参数存储位置，所述第二参数存储位置包括每存储器单元N位模式的参数，其中M和N是不同的正整数；和/n状态机，其中所述状态机被配置为：/n从控制器接收用于执行涉及所述一组字线中的一个字线的操作的命令序列，其中所述命令序列包括一个或多个前缀命令；/n访问涉及所述一个字线的所述操作的参数，当所述一个或多个前缀命令识别所述每存储器单元M位模式时，所访问的参数来自所述第一参数存储位置，并且当所述一个或多个前缀命令识别所述每存储器单元N位模式时，所访问的参数...

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
块，所述块包括连接到一组字线的多个存储器单元；
第一参数存储位置，所述第一参数存储位置包括每存储器单元M位模式的参数；
第二参数存储位置，所述第二参数存储位置包括每存储器单元N位模式的参数，其中M和N是不同的正整数；和
状态机，其中所述状态机被配置为：
从控制器接收用于执行涉及所述一组字线中的一个字线的操作的命令序列，其中所述命令序列包括一个或多个前缀命令；
访问涉及所述一个字线的所述操作的参数，当所述一个或多个前缀命令识别所述每存储器单元M位模式时，所访问的参数来自所述第一参数存储位置，并且当所述一个或多个前缀命令识别所述每存储器单元N位模式时，所访问的参数来自所述第二参数存储位置；以及
使用所访问的参数来执行对于所述一个字线的所述操作。


2.根据权利要求1所述的装置，其中：
涉及所述一个字线的所述操作是涉及所述每存储器单元M位模式的编程操作的第一通过；并且
所述状态机被配置为：
在所述编程操作的所述第一通过被执行之后，从所述控制器接收用于执行涉及所述一组字线的另一个字线的编程操作的另一个命令序列，其中所述另一个命令序列包括指示涉及所述另一个字线的所述编程操作是针对所述每存储器单元N位模式的一个或多个前缀命令；
响应于所述另一个命令序列的所述一个或多个前缀命令，从所述第二参数存储位置访问所述另一个字线的所述编程操作的参数；以及
使用来自所述第二参数存储位置的所访问的参数来执行涉及所述另一个字线的所述编程操作。


3.根据权利要求2所述的装置，其中所述状态机被配置为：
在涉及所述另一个字线的所述编程操作被执行之后，从所述控制器接收用于执行涉及所述一个字线的所述编程操作的第二通过的另一命令序列，其中所述另一命令序列包括指示涉及所述一个字线的所述编程操作的所述第二通过是针对所述每存储器单元M位模式的一个或多个前缀命令；
响应于所述另一命令序列的所述一个或多个前缀命令，从所述第一参数存储位置访问涉及所述一个字线的所述编程操作的所述第二通过的参数；以及
使用来自所述第一参数存储位置的所访问的参数来执行涉及所述一个字线的所述编程操作的所述第二通过。


4.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第一参数存储位置包括第一寄存器组；
所述每存储器单元M位模式的参数在上电过程期间被加载到所述第一寄存器组中，并且在所述一组字线的操作期间保持在所述第一寄存器组中；
所述第二参数存储位置包括第二寄存器组；并且
所述每存储器单元N位模式的参数在所述上电过程期间被加载到所述第二寄存器组中，并且在所述一组字线的操作期间保持在所述第二寄存器组中。


5.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第一参数存储位置包括一组只读存储器熔丝；并且
所述第二参数存储位置包括用户只读存储器。


6.根据权利要求1所述的装置，还包括：
第三参数存储位置，所述第三参数存储位置存储所述每存储器单元M位模式和所述每存储器单元N位模式的公共参数，其中所述状态机被配置为：当所述一个或多个前缀命令识别所述每个存储器单元M位模式时并且当所述一个或多个前缀命令识别所述每个存储器单元N位模式时，访问涉及所述一个字线的所述操作的所述公共参数。


7.根据权利要求1所述的装置，其中：
当所述一个或多个前缀命令识别所述每存储器单元M位模式时，所述状态机被配置为：使用来自所述第一参数存储位置的所访问的参数对所述一组字线中的附加字线执行操作，直到接收到包括一个或多个前缀命令的另一个命令序列，所述一个或多个前缀命令指示下一个操作是针对所述每存储器单元N位模式。


8.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述操作是涉及对多页数据进行编程的编程操作；
通过相应命令序列从所述控制器接收所述多页数据中的每页数据；并且
所述一个或多个前缀命令包括在所述相应命令序列的单个命令序列中。


9.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述操作包括读取操作；
所访问的参数包括读取电压；并且
对于所述每存储器单元M位模式与所述每存储器单元N位模式相比，所述读取电压是不同的。


10.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述操作包括编程操作；
所访问的参数包括验证电压；并且
对于所述每存储器单元M位模式与所述每存储器单元N位模式相比，所述验证电压是不同的。


11.一种方法，包括：
在使存储器单元块上电时，将每存储器单元M位模式的参数加载到第一寄存器组中，以及将每存储器单元N位模式的参数加载到第二寄存器组中，其中M和N是不同的正整数；
接收用于执行涉...

【专利技术属性】
技术研发人员：李靓，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US