改善亮场缺陷检测精度及其过程中因色差导致杂讯的方法技术

本发明专利技术涉及改善亮场缺陷检测过程中因色差导致杂讯的方法，涉及半导体集成电路制造技术，对于位于晶圆边缘的芯片单元，选择位于晶边与晶圆面内半径r1覆盖的圆形区域之间的位于晶圆边缘的弧形区域内的相距最近的至少两芯片单元，其中的一芯片单元为被检测芯片单元，其它芯片单元为参考芯片单元，计算被检测芯片单元与参考芯片单元的灰度差值，获取被检测芯片单元的缺陷信息，进而获得位于弧形区域内的所有芯片单元的缺陷信息，如此由于弧形区域内的芯片单元位于同一半径区域，工艺波动对该弧形区域内的芯片单元的影响相差不大，则不会因工艺波动导致选取的芯片单元的灰度差也即色差较大，进而提高缺陷有效检出率。

Methods to improve the detection accuracy of bright field defects and noise caused by color difference in the process

【技术实现步骤摘要】
改善亮场缺陷检测精度及其过程中因色差导致杂讯的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种缺陷检测技术。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸不断缩小，工艺制造越来越复杂，制程越来越先进，同样类型和同样大小的缺陷(defect)对产品的良率杀伤越更大，生产线需要高精密的缺陷检测设备和方法来发现生产线上的产品所出现的异常状况。目前业内使用较多的光学缺陷扫描机台主要有亮场及暗场两种，其中亮场扫描机台的精度及敏感度更高，因此亮场缺陷检测(Brightfieldinspection)应用更广泛。另，半导体集成电路通常都形成于晶圆上，随着技术发展，晶圆的尺寸即直径从4英寸、6英寸、8英寸一直发展到12英寸。晶圆边缘为较易发生缺陷的区域，随着晶圆尺寸的增加，晶圆边缘更易发生缺陷，如晶圆边缘的芯片单元的膜层受沉积或平坦化等工艺影响波动较大，因此对于晶圆边缘的缺陷检测尤其重要。目前，晶圆的亮场缺陷检测常用的一种扫描方式为D2D(dietodie)模式，其通过在晶圆上选择三个位于同一行的芯片单元(die)，获得三个芯片单元之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善亮场缺陷检测精度的方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一晶圆，晶圆内包括多个芯片单元，依晶圆半径将晶圆划分为多个区域，其中该多个区域至少包括第一区域和第二区域，其中第一区域为半径r1覆盖的晶圆的圆形区域，第二区域为晶边与晶圆面内半径r1覆盖的圆形区域之间的区域；/nS2：获得晶圆内所有芯片单元的灰度值；以及/nS3：选择第一区域内的位于同一行的相邻至少两芯片单元，并其中的一芯片单元为被检测芯片单元，其它芯片单元为参考芯片单元，计算被检测芯片单元与参考芯片单元的灰度差值，获取被检测芯片单元的缺陷信息，进而获得位于第一区域内的所有芯片单元的缺陷信息；选择第二区域内的相距最近的至少两芯...

【技术特征摘要】
1.一种改善亮场缺陷检测精度的方法，其特征在于，包括：
S1：提供一晶圆，晶圆内包括多个芯片单元，依晶圆半径将晶圆划分为多个区域，其中该多个区域至少包括第一区域和第二区域，其中第一区域为半径r1覆盖的晶圆的圆形区域，第二区域为晶边与晶圆面内半径r1覆盖的圆形区域之间的区域；
S2：获得晶圆内所有芯片单元的灰度值；以及
S3：选择第一区域内的位于同一行的相邻至少两芯片单元，并其中的一芯片单元为被检测芯片单元，其它芯片单元为参考芯片单元，计算被检测芯片单元与参考芯片单元的灰度差值，获取被检测芯片单元的缺陷信息，进而获得位于第一区域内的所有芯片单元的缺陷信息；选择第二区域内的相距最近的至少两芯片单元，并其中的一芯片单元为被检测芯片单元，其它芯片单元为参考芯片单元，计算被检测芯片单元与参考芯片单元的灰度差值，获取被检测芯片单元的缺陷信息，进而获得位于第二区域内的所有芯片单元的缺陷信息。


2.根据权利要求1所述的改善亮场缺陷检测精度的方法，其特征在于，所述第二区域为晶圆的边缘区域。


3.根据权利要求2所述的改善亮场缺陷检测精度的方法，其特征在于，对于12英寸的晶圆，第二区域为半径大于145mm的区域。


4.根据权利要求1所述的改善亮场缺陷检测精度的方法，其特征在于，选择第一区域内的位于同一行的相邻3个芯片单元，并其中位于中间的芯片单元为被检测芯片单元，两侧的两芯片单元为参考芯片单元。


5.根据权利要求1所述的改善亮场缺陷检测精度的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：张思琦，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31