一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构制造技术

本发明专利技术涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，该结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接，圆环钼板包括至少两层圆形钼片；圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔，整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定；坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环，上半部圆环外径大于下半部圆环外径，上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同，同心圆内孔直径从上到下先变小在变大；每层钼片内径尺寸也不相同，坩埚盖的最下层钨板为圆形；每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔，通过钼螺栓、钼丝穿接固定。本发明专利技术由钼丝以及间隔钼片的钼螺母穿接固定，形成头尾片可灵活拆卸结构，可以有效减小放肩阶段生长界面的底部圆锥角度，降低大尺寸晶体肩部缺陷，提高晶体晶体良率。

【技术实现步骤摘要】
一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构
本专利技术涉及泡生法蓝宝石单晶炉热场保温领域，具体涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构。
技术介绍
蓝宝石是纯净氧化铝的单晶形态，化学成分是Al2O3。蓝宝石的莫氏硬度为9，仅次于金刚石，它具有良好的光学透过性、热传导性、电绝缘性以及优良的机械性能。蓝宝石的应用领域包括窗口材料、电子器件、耐磨元件、高温绝缘件、LED衬底以及军用整流罩等。泡生法生长蓝宝石单晶对炉内轴向和径向的温度梯度要求较严格，合理的温梯利于晶体生长凸界面的形成，尤其是生长大尺寸蓝宝石单晶时，晶体尺寸越大，生长难度越大，容易出现引晶难度大、易粘埚、及晶体应力大等问题，导致晶体产生层错、裂纹、云雾等缺陷；合理的顶部保温设计，可以满足大尺寸晶体所需的径向温度梯度，利于生长凸界面的形成，和提高晶体良率。另外坩埚盖结构高温变形问题也是影响晶体良率的重要因素之一，因此提供一种，较大的径向温梯，促成合理的生长界面形成，并延长坩埚盖使用寿命的上部保温结构，是十分必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种便于拆卸、使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于该坩埚盖结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接，圆环钼板包括至少两层圆形钼片；圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔，整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定；坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环，上半部圆环外径大于下半部圆环外径，上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同，同心圆内孔直径从上到下先变小在变大；每层钼片内径尺寸也不相同，坩埚盖的最下层钨板为圆形；每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔，通过钼螺栓、钼丝穿接固定。/n

【技术特征摘要】
1.一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于该坩埚盖结构整体由圆环钼板、钨板、间隔钼板用的钼螺母、整体通过钼螺栓以及钼丝固定连接，圆环钼板包括至少两层圆形钼片；圆形钼片、钨板中间留有直径不同的同心圆内孔，整体由间隔钼板用的钼螺母、钼螺栓以及钼丝制作的铆钉固定；坩埚盖包括上半部圆环和下半部圆环，上半部圆环外径大于下半部圆环外径，上半部圆环和下半部圆环圆心相同外径不同，同心圆内孔直径从上到下先变小在变大；每层钼片内径尺寸也不相同，坩埚盖的最下层钨板为圆形；每层钼板、钨板之间由钼螺母间隔，通过钼螺栓、钼丝穿接固定。


2.根据权利要求1所述的一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于所述的坩埚盖上半部圆环包括至少2层圆形钼片，下半段圆环包括至少2层圆形钼片与1层钨板，钨板置于最下层。


3.根据权利要求2所述的一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于所述的圆形钼片相邻间隔为3-6mm。


4.根据权利要求3所述的一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于所述的圆形钼片边缘处均匀分布有8-12个同心圆通孔直径为φ8-φ12mm。


5.根据权利要求4所述的一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构，其特征在于所述的圆形钼片去除头尾片的中间层圆形钼片上均匀分布有12-16个直...

【专利技术属性】
技术研发人员：左洪波，杨鑫宏，李铁，马宗羽，
申请(专利权)人：哈尔滨秋硕半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23