一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件，涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术所要解决的技术问题是目前有机电致发光器件中空穴传输类材料稳定性差以及有机电致发光器件寿命短的问题。本发明专利技术的含有螺二芴的衍生物以螺二芴类的基团为母体，通过单键或者桥与咔唑并茚类基团连接。本发明专利技术的有机电致发光器件包括阳极、有机物层和阴极，有机物层包括空穴传输层。本发明专利技术式I的含有螺二芴的衍生物具有较适合的HOMO能级以及更好的稳定性，将其用于有机电致发光器件的空穴传输层时，有机电致发光器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压以及较长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
，具体涉及一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)是一种由有机分子薄片组成的固态设备，施加电力之后就能发光。OLED因为效率高，对比度高，视角大，反应时间快，色彩饱和，结构相对简单，在显示和照明方面有非常广泛的应用前景，被称为梦幻显示技术。由于OLED可以在各式不同的基板上制造，使其成为柔性显示的关键技术。OLED器件由n型功能层、p型功能层、发光层、阴极以及阳极所构成。n型功能层包括空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)、空穴传输层(HoleTransportingLayer,HTL)、电子阻挡层(ElectronBlockingLayer,EBL)等，p型功能层包括空穴阻挡层(HoleBlockingLayer,HBL)，电子传输层(ElectronTransportingLayer,ETL)和电子注入层(ElectronInjectionLayer,EIL)等。根据使用有机功能材料的不同，OLED器件可以分为两大类：小分子器件和高分子器件。小分子OLED技术发展的较早，而且技术已经达到商业化生产水平。高分子OLED又称为POLED，其发展始于1990年，由于聚合物可以采用旋涂、喷墨印刷等方法制备薄膜，从而有可能大大降低器件生产成本，但目前该技术远未成熟。根据驱动方式的不同，OLED器件也可以分为无源驱动型和有源驱动型两种。无源驱动型不采用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)基板，一般适用于中小尺寸显示；有源驱动型则采用TFT基板，适用于中大尺寸显示，特别是大尺寸全彩动态图像显示。目前，无源驱动型OLED和有源驱动型OLED技术已经比较成熟，已经推出大批商用产品。对于用ITO玻璃透明电极作为阳极，不透明金属作为阴极，电子传输层、发光层、空穴传输层作为有机功能层的有机电致发光器件来说，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层，然后分别迁移到发光层，两者相遇形成激子使发光分子激发，后者经过辐射后发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到，金属电极膜同时也起了反射层的作用。OLED器件要求从阳极注入的空穴与从阴极注入的电子能相对平衡的注入到发光层中，也就是要求空穴和电子的注入速率应该基本相同。空穴传输层紧邻发光层，空穴传输层在OLED器件中起着至关重要的作用，起到降低驱动电压和提高发光效率的作用，由此可见在制备OLED器件时有必要选择合适的空穴传输材料。空穴传输材料相对于电子传输材料和发光材料，空穴传输材料的稳定性较低，会导致OLED器件性能衰减，因而成为影响有机电致发光器件性能特别是使用寿命的主要因素，因此改善空穴传输材料的稳定性是研究的重点。
技术实现思路
为了解决目前有机电致发光器件中的有机功能层的材料稳定性差，尤其是空穴传输类材料稳定性差以及有机电致发光器件寿命短的问题，本专利技术提供了一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件。本专利技术通过使用下述式I所示的螺二芴的衍生物作为有机电致发光器件的有机功能层材料，可以实现上述目的，从而完成了本专利技术。本专利技术提供了一种含有螺二芴的衍生物，具有如式I所示的结构通式，所述Ar选自如下所示基团中的一种，其中，所述X1、X2独立的选自单键或者C(R0)2，且X1、X2不同时为单键，所述R0选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；所述m选自0～4中的整数，所述n选自0～3中的整数，所述k选自0～2中的整数，所述R选自氢、氘、取代或未取代的C1～C30的烷基中的一种，每个R相同或者不同；所述L选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；所述Ar0选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种。本专利技术还提供了一种有机电致发光器件，依次包括阳极、有机物层、阴极，所述有机物层含有上述本专利技术的含有螺二芴的衍生物。有益效果：本专利技术式I的含有螺二芴的衍生物具有较适合的HOMO能级，能够有效的将空穴注入到发光层内，使发光层内产生更多的激子而发光，有效的提高了器件的发光效率，并且由于衍生物的HOMO能级与阳极和发光层更加的匹配，空穴的注入势垒较低，将式I的含有螺二芴的衍生物用作空穴传输层的器件的驱动电压较低。此外，本专利技术式I的含有螺二芴的衍生物具有更好的稳定性，器件在工作时含有式I的衍生物的有机薄膜不易变形，有效的改善了有机电致发光器件的使用寿命。附图说明图1为本专利技术化合物1的1HNMR图；图2为本专利技术化合物12的1HNMR图；图3为本专利技术化合物184的1HNMR图；图4为本专利技术化合物194的1HNMR图；图5为本专利技术化合物215的1HNMR图；图6为本专利技术化合物225的1HNMR图；图7为本专利技术化合物232的1HNMR图；图8为本专利技术化合物240的1HNMR图。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐明本专利技术，应理解这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围，在阅读了本专利技术之后，本领域技术人员对本专利技术的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。本专利技术所述的氢(H)包含其同位素，氕(P)、氘(D)、氚(T)。本专利技术所述的烷基是指是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团，烷基是一类没有任何双键或者三键的饱和烃基。所述烷基包括直链烷基、支链烷基、环烷基。所述烷基的碳原子数为C1～C60，优选为C1～C30，进一步优选为C1～C15，还进一步优选为C1～C10。所述烷基实例包括但不限于如下基团，甲基、乙基、丙基(包括其异构体)、丁基(包括其异构体)、戊基(包括其异构体)、己基(包括其异构体)、庚基(包括其异构体)、辛基(包括其异构体)、壬基(包括其异构体)、癸基(包括其异构体)、十一烷基(包括其异构体)、十二烷基(包括其异构体)、十三烷基(包括其异构体)、十四烷基(包括其异构体)、十五烷基(包括其异构体)，环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、莰烷基、降冰片烷基等。上述烷基的同分异构体的实例如下，丙基包括正丙基、异丙基，丁基包括正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基，以此类推。本专利技术所述的芳基是指芳香烃分子中少掉一个氢原子而成的一价基团。所述芳基包括单环芳基、多环芳基、稠环芳基。所述芳基的碳原子数为C6～C60，优选为C6～C30，进一步优选为C6～C20，还进一步优选为C6～C14。所述芳基实例包括但不限于如下基团，苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、蒽基、三亚苯基、芘基、苝基、荧蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、螺二芴基、苯并螺二芴基等。本专利技术所述的杂芳基是指芳基中的至少一个碳原子被杂原子取代的一价基团本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有螺二芴的衍生物，其特征在于，具有如式I所示的结构通式，/n

【技术特征摘要】
1.一种含有螺二芴的衍生物，其特征在于，具有如式I所示的结构通式，



所述Ar选自如下所示基团中的一种，



其中，所述X1、X2独立的选自单键或者C(R0)2，且X1、X2不同时为单键，所述R0选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述m选自0～4中的整数，所述n选自0～3中的整数，所述k选自0～2中的整数，所述R选自氢、氘、取代或未取代的C1～C30的烷基中的一种，每个R相同或者不同；
所述L选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30亚杂芳基中的一种；
所述Ar0选自取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的一种。


2.根据权利要求1所述的一种含有螺二芴的衍生物，其特征在于，所述含有螺二芴的衍生物具有如I-1～I-6所示的结构通式，



所述Ar0选自如下所示基团中的一种，



所述p选自0～5中的整数，所述q选自0～7中的整数，所述m选自0～4中的整数，所述R1选自氢、氘、取代或未取代的1～30的烷基中的一种，每个R1相同或者不同。


3.根据权利要求1所述的一种含有螺二芴的衍生物，其特征在于，所述R选自氢、氘、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的壬基、取代或未取代的癸基、取代或未取代的十一烷基、取代或未取代的十二...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜明珠，朱鸫达，王英雪，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22