一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件制造技术

技术编号:26160744 阅读:57 留言:0更新日期:2020-10-31 12:42
本发明专利技术提供了一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件,涉及有机光电材料技术领域。本发明专利技术所要解决的技术问题是目前有机电致发光器件中空穴传输类材料稳定性差以及有机电致发光器件寿命短的问题。本发明专利技术的含有螺二芴的衍生物以螺二芴类的基团为母体,通过单键或者桥与咔唑并茚类基团连接。本发明专利技术的有机电致发光器件包括阳极、有机物层和阴极,有机物层包括空穴传输层。本发明专利技术式I的含有螺二芴的衍生物具有较适合的HOMO能级以及更好的稳定性,将其用于有机电致发光器件的空穴传输层时,有机电致发光器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压以及较长的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件
本专利技术涉及有机光电材料
,具体涉及一种含有螺二芴的衍生物及其有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)是一种由有机分子薄片组成的固态设备,施加电力之后就能发光。OLED因为效率高,对比度高,视角大,反应时间快,色彩饱和,结构相对简单,在显示和照明方面有非常广泛的应用前景,被称为梦幻显示技术。由于OLED可以在各式不同的基板上制造,使其成为柔性显示的关键技术。OLED器件由n型功能层、p型功能层、发光层、阴极以及阳极所构成。n型功能层包括空穴注入层(HoleInjectionLayer,HIL)、空穴传输层(HoleTransportingLayer,HTL)、电子阻挡层(ElectronBlockingLayer,EBL)等,p型功能层包括空穴阻挡层(HoleBlockingLayer,HBL),电子传输层(ElectronTransportingLayer,ETL)和电子注入层(ElectronInjectionLaye本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含有螺二芴的衍生物,其特征在于,具有如式I所示的结构通式,/n

【技术特征摘要】
1.一种含有螺二芴的衍生物,其特征在于,具有如式I所示的结构通式,



所述Ar选自如下所示基团中的一种,



其中,所述X1、X2独立的选自单键或者C(R0)2,且X1、X2不同时为单键,所述R0选自取代或未取代的C1~C10的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基、取代或未取代的C3~C30的杂芳基中的一种;
所述m选自0~4中的整数,所述n选自0~3中的整数,所述k选自0~2中的整数,所述R选自氢、氘、取代或未取代的C1~C30的烷基中的一种,每个R相同或者不同;
所述L选自单键、取代或未取代的C6~C30的亚芳基、取代或未取代的C3~C30亚杂芳基中的一种;
所述Ar0选自取代或未取代的C1~C30的烷基、取代或未取代的C6~C30的芳基中的一种。


2.根据权利要求1所述的一种含有螺二芴的衍生物,其特征在于,所述含有螺二芴的衍生物具有如I-1~I-6所示的结构通式,



所述Ar0选自如下所示基团中的一种,



所述p选自0~5中的整数,所述q选自0~7中的整数,所述m选自0~4中的整数,所述R1选自氢、氘、取代或未取代的1~30的烷基中的一种,每个R1相同或者不同。


3.根据权利要求1所述的一种含有螺二芴的衍生物,其特征在于,所述R选自氢、氘、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的己基、取代或未取代的庚基、取代或未取代的辛基、取代或未取代的壬基、取代或未取代的癸基、取代或未取代的十一烷基、取代或未取代的十二...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜明珠朱鸫达王英雪
申请(专利权)人:长春海谱润斯科技有限公司
类型:发明
国别省市:吉林;22

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