红外MEMS桥梁柱结构及工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种红外MEMS桥梁柱结构及形成方法，所述结构采用多层薄膜复合结构，包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；所述第一释放保护层为氧化硅层；所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层。本发明专利技术通过在对桥梁结构应力的控制来中和几种薄膜应力：通过增加多种反作用应力的薄膜，可以有效降低桥梁结构释放以后引起的桥梁翘曲，既不影响整体桥梁结构的厚度，同时又有利于后续光刻工艺对准及后续蚀刻沟道的控制。

【技术实现步骤摘要】
红外MEMS桥梁柱结构及工艺方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，特别是指一种MEMS产品桥梁结构中，能够有效的支撑MEMS镂空的红外MEMS桥梁柱结构，可以有效的降低桥梁结构翘曲带来的后续封装异常。本专利技术还涉及所述红外MEMS桥梁柱结构的工艺方法。
技术介绍
微机电系统(MEMS,Micro-Electro-MechanicalSystem)，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。主要由传感器、动作器(执行器)和微能源三大部分组成。微机电系统涉及物理学、半导体、光学、电子工程、化学、材料工程、机械工程、医学、信息工程及生物工程等多种学科和工程技术，为智能系统、消费电子、可穿戴设备、智能家居、系统生物技术的合成生物学与微流控技术等领域开拓了广阔的用途。常见的产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器等以及它们的集成产品。MEMS具有以下几个基本特点：微型化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述桥梁柱结构包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；/n所述第一释放保护层为氧化硅层；/n所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述桥梁柱结构包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；
所述第一释放保护层为氧化硅层；
所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层。


2.根据权利要求1所述的红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：在所述桥梁柱结构以外的区域，还具有由其他多种膜层形成的MEMS结构，在桥梁柱结构区域以外的层次包括衬底、金属反射层、介质层、释放层、第一释放保护层、感光敏感层、金属电极、DARC层以及第二释放保护层；
所述第一释放保护层沉积于释放层之上，并一起位于介质层之上；
所述感光敏感层沉积于第一释放保护层之上；
所述DARC层淀积于金属电极上之上；
所述第二释放保护层沉积于DARC层之上。


3.根据权利要求2所述的红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述的衬底为硅衬底，是用来读取红外传感信号的电路基片。


4.根据权利要求2所述的红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述的反射层为高反射率的金属薄膜，材料为金、银、铝或者铜，或者是其中几种材料混合体。


5.根据权利要求2所述的红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述的介质层、第一释放保护层、DARC层，均是电性绝缘层，材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种或几种；或者非化学计量比的氮化硅、氮氧化硅的一种或者几种；所述碳化硅可替换氧化硅。


6.根据权利要求2所述的红外MEMS的桥梁柱结构，其特征在于：所述的感光敏感层材料，为红外吸收的非晶硅材料。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘善善，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31