基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统制造方法及图纸

技术编号:26155469 阅读:32 留言:0更新日期:2020-10-31 12:10
涉及一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。用于处理基板的方法包括:第一处理操作,其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域,来处理所述基板的所述边缘区域;以及第二处理操作,其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域来处理所述边缘区域,其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月30日提交的、申请号为10-2019-0050434的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的专利技术构思的实施方式涉及一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统。
技术介绍
在诸如用于制造基板(例如半导体晶片或平板显示器)的玻璃面板的处理期间,执行各种工艺,诸如涂布(application)、摄影(photographing)、沉积、灰化、蚀刻和离子注入。在执行用于处理基板的工艺时,将固化的薄膜涂覆或沉积在基板的表面上。另外,需要边缘珠粒(edgebead)去除工艺以增加基板边缘处的生产出品率(yield)。边缘珠粒去除工艺将不需要的薄膜和附着的副产物聚合物从基板的边缘区域去除。图1是示出了在常规基板处理装置中执行边缘珠粒去除工艺的视图。参照图1,常规基板处理装置1具有旋转卡盘2和喷嘴4。旋转卡盘2支承和旋转基板W。喷嘴4将化学品C喷涂在基板W的边缘区域上。各喷嘴4设置在基板W的上方和下方,以将化学品C喷涂在基板W的顶表面和底表面上。喷涂的化学品C将设置在基板W的边缘区域上的薄膜F去除。然而,当通过喷涂化学品C来执行边缘珠粒去除工艺时,没有适当地执行基板W的边缘区域中的薄膜F的去除。例如,如图2所示,基板W的边缘区域中的薄膜F可以在基板W的径向方向上向外向下倾斜地去除。这是因为化学品C在基板W旋转的情况下供应。当没有适当地执行基板W的边缘区域中的薄膜F的去除时,生产工艺的出品率降低。此外,由于在去除工艺之后在基板W的表面上形成针标(pinmark),因此存在额外污染的风险。
技术实现思路
本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统,其中以高效率从基板去除膜。此外,本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统,其中通过将多个单位脉冲激光束照射到基板上的膜上,膜去除效率增加。此外,本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统,其中通过将多个单位脉冲激光束照射到基板上的膜上,使膜去除区域最小化。此外,本专利技术构思的实施方式提供了一种基板处理方法、基板处理装置和基板处理系统,其中根据膜的类型改变待照射的激光束的波长,以使膜去除的效率最大化。本专利技术构思的目的不限于此。通过以下描述,本领域技术人员将清楚地理解未提及的其他目的。根据示例性实施方式,一种用于处理基板的方法包括:第一处理操作,其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域,来处理所述基板的所述边缘区域;以及第二处理操作,其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域,来处理所述边缘区域,其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。所述基板的所述处理可以包括从所述基板去除膜,其中所述膜可以包括第一膜和第二膜、所述第二膜与所述第一膜不同,其中所述第一膜和所述第二膜可以垂直地依序地堆叠在所述基板上。当去除所述第一膜时,可以执行所述第一处理操作。当去除所述第二膜时,可以执行所述第二处理操作。所述第一处理操作和所述第二处理操作可以依序执行。所述第一波长和所述第二波长的每个可以处于150nm至1200nm的范围内。所述第一波长可以存在于选自以下的一个范围内:750nm至1200nm的第一范围、380nm至749nm的第二范围、300nm至379nm的第三范围、以及150nm至299nm的第四范围。所述第二波长可以存在于选自所述第一范围、所述第二范围、所述第三范围和所述第四范围的另一范围内。所述第一激光束和所述第二激光束的每个可以包括多个单位脉冲激光束(unitpulselaserbeam)。可以将所述第一激光束和所述第二激光束的每个可以照射到所述基板的边缘区域的顶表面和/或底表面。所述第一处理操作和所述第二处理操作可以在相同腔室中执行。所述第一处理操作和所述第二处理操作可以在不同腔室中执行。根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:腔室,其具有内部空间;支承单元,其接收在所述内部空间中,用于支承和旋转所述基板;第一激光照射单元,其用于将具有第一波长的第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板;第二激光照射单元,其用于将具有第二波长的第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板;和控制器,以控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元。所述控制器可以控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,使得所述第一波长和所述第二波长彼此不同。所述控制器可以控制所述支承单元。所述控制器可以控制所述支承单元以使支承在所述支承单元上的所述基板旋转;控制所述支承单元和所述第一激光照射单元的组合以执行第一处理操作,所述第一处理操作用于在所述基板旋转的情况下将所述第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板的边缘区域;并控制所述支承单元和所述第二激光照射单元的组合、以在所述第一处理操作之后执行第二处理操作,所述第二处理操作用于在所述基板旋转的情况下将所述第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。所述控制器可以控制所述支承单元、所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元的组合,使得当去除施用在支承在所述支承单元上的所述基板上的第一膜时,执行所述第一处理操作;使得当去除施用在支承在所述支承单元上的所述基板上的第二膜时,执行所述第二处理操作。所述控制器可以控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,使得所述第一激光束和所述第二激光束的每个可以包括多个单位脉冲激光束。根据示例性实施方式,一种用于处理基板的装置包括:腔室,其具有内部空间;支承单元,其设置在所述内部空间中,用于支承和旋转所述基板;第一激光照射单元,其用于将第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板上;和第二激光照射单元,其用于将第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板上;其中所述第一激光照射单元可以包括:第一激光光源,其用于产生所述第一激光束;以及第一波长调节构件,其用于调节从所述第一激光光源接收的所述第一激光束的波长范围;其中所述第二激光照射单元可以包括:第二激光光源,其用于产生所述第二激光束;以及第二波长调节构件,其用于调节从所述第二激光光源接收的所述第二激光束的波长范围。所述装置还可以包括控制器,以控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,其中所述控制器可以控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,使得所述第一激光束具有第一波长,且所述第二激光束具有与所述第一波长不同的第二波长。所述第一激光照射单元可以包括第一激光照射构件,其用于将从所述第一激光光源接收的所述第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板,其中所述第二激光照射单元可以包括第二激光照射构件,其用于将从所述第二激光光源接收的所述第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板,其中在所述第一激光照射构件和所述第二激光照本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:/n第一处理操作,其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域,来处理所述基板的所述边缘区域;和/n第二处理操作,其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域,来处理所述边缘区域,其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。/n

【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-00504341.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
第一处理操作,其用于通过将具有第一波长的第一激光束照射到旋转的基板的边缘区域,来处理所述基板的所述边缘区域;和
第二处理操作,其用于通过将具有第二波长的第二激光束照射到所述旋转的基板的所述边缘区域,来处理所述边缘区域,其中所述第一波长和所述第二波长彼此不同。


2.根据权利要求1所述的方法,其中所述基板的所述处理包括从所述基板去除膜,其中所述膜包括第一膜和第二膜、所述第二膜与所述第一膜不同,其中所述第一膜和所述第二膜垂直地依序地堆叠在所述基板上,
其中当去除所述第一膜时,执行所述第一处理操作,
其中当去除所述第二膜时,执行所述第二处理操作。


3.根据权利要求2所述的方法,其中所述第一处理操作和所述第二处理操作依序执行。


4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一波长和所述第二波长的每个处于150nm至1200nm的范围内。


5.根据权利要求4所述的方法,其中所述第一波长存在于选自以下范围的一个范围内:750nm至1200nm的第一范围、380nm至749nm的第二范围、300nm至379nm的第三范围、以及150nm至299nm的第四范围,
其中所述第二波长存在于选自所述第一范围、所述第二范围、所述第三范围和所述第四范围的另一范围内。


6.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一激光束和所述第二激光束的每个包括多个单位脉冲激光束。


7.根据权利要求1所述的方法,其中将所述第一激光束和所述第二激光束的每个照射到所述基板的所述边缘区域的顶表面和/或底表面。


8.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一处理操作和所述第二处理操作在相同腔室中执行。


9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一处理操作和所述第二处理操作在不同腔室中执行。


10.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
腔室,其具有内部空间;
支承单元,其接收在所述内部空间中,用于支承和旋转所述基板;
第一激光照射单元,其用于将具有第一波长的第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板;
第二激光照射单元,其用于将具有第二波长的第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板;和
控制器,其配置为控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,
其中所述控制器配置为控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,使得所述第一波长和所述第二波长彼此不同。


11.根据权利要求10所述的装置,其中所述控制器还配置为控制所述支承单元,
其中所述控制器还配置为:
控制所述支承单元以使支承在所述支承单元上的所述基板旋转;
控制所述支承单元和所述第一激光照射单元的组合以执行第一处理操作,所述第一处理操作用于在所述基板旋转的情况下将所述第一激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板的边缘区域;和
控制所述支承单元和所述第二激光照射单元的组合、以在所述第一处理操作之后执行第二处理操作,所述第二处理操作用于在所述基板旋转的情况下将所述第二激光束照射到支承在所述支承单元上的所述基板的所述边缘区域。


12.根据权利要求11所述的装置,其中所述控制器还配置为控制所述支承单元、所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元的组合,使得
当去除施用在支承在所述支承单元上的所述基板上的第一膜时,执行所述第一处理操作;并且
当去除施用在支承在所述支承单元上的所述基板上的第二膜时,执行所述第二处理操作。


13.根据权利要求10所述的装置,其中所述控制器还配置为控制所述第一激光照射单元和所述第二激光照射单元,使得所述第一激光束和所述第二激光束的每个包括多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:安俊建李廷焕权五烈朴修永梁承太
申请(专利权)人:细美事有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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