【技术实现步骤摘要】
一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器
本技术涉及一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子
技术介绍
本技术涉及一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器，属于半导体光电子
近二十年来，GaN基半导体材料在外延生长和光电子器件制备方面均取得了重大科技突破，其中发光二极管（LED）和边发射激光器（EEL）已经实现产业化。蓝绿光多波长单片集成面发射半导体激光器，在高密度光存储、激光显示、激光电视、水下通信、海洋资源探测及激光生物医学等领域具有广阔的应用前景。垂直腔面发射半导体激光器谐振腔通常由高反射率的分布布拉格反射镜（DBR）组成。然而对GaN基半导体激光而言，外延生长DBR非常困难，一般由多层介质膜DBR来获得高反射率谐振腔。由于介质膜不导电，因此目前面发射半导体激光器通常采用ITO膜内腔电极，ITO膜内腔电极吸收引起的损耗以及ITO/GaN界面带来的损耗导致较高的阈值电流和较低的光输出。多波长单片集成面发射半导体激光器均利用键合技术，把两种不同发射波长的激光芯片键合在一起，集成度...
【技术保护点】
1.一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层和窗口层；/n在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底（1），该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层（2），为厚度是1000nm的GaN材料，该缓冲层制作在衬底上；第一底部DBR层（3）；第一下势垒层（4），为...
【技术特征摘要】
1.一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层和窗口层；
在衬底层上由下至上依次包括：蓝宝石衬底（1），该衬底用于在其上外延生长垂直腔面发射激光器各层材料；缓冲层（2），为厚度是1000nm的GaN材料，该缓冲层制作在衬底上；第一底部DBR层（3）；第一下势垒层（4），为厚度是100nm的GaN材料，制作在第一底部DBR层上；第一有源层（5），为多量子阱层，其发光波长为380nm-390nm，该层制作在第一下势垒层上；隧道结（6），厚度分别为15nm和10nm，该层制作在第一有源层上；电流注入层（7），该层制作在隧道结上；第一上势垒层（8），为厚度是100nm的GaN材料，制作在电流注入层上；第一顶部DBR层（9），该层制作在上势垒层上；欧姆接触层（10），该层制作在第一顶部DBR层上；第二底部DBR层（11），该层制作在欧姆接触层上；第二下势垒层（12），为厚度是100nm的G...
【专利技术属性】
技术研发人员：李林，曾丽娜，李再金，乔忠良，李功捷，赵志斌，杨红，曲轶，彭鸿雁，
申请(专利权)人：海南师范大学，
类型：新型
国别省市：海南;46
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