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本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种面发射半导体激光器。一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，由蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层...
该专利属于海南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过海南师范大学授权不得商用。

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