HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统技术方案

本申请涉及HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统。为了在靶材的使用寿命内并且在HIPIMS操作下控制溅射靶材（9）的操作，在靶材（9）的使用寿命内，与靶材（9）相关联的磁体结构的部分I相对于靶材（9）收缩，而磁体结构的第二部分II，如果会发生的话，相对于所述后侧（7）收缩较少。由此，部分I比部分II更靠近靶材（9）的周界，两者都围绕旋转轴线（A）偏心地旋转。

【技术实现步骤摘要】
HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统
本专利技术涉及一种溅射涂覆的方法，特别是HIPIMS溅射涂覆基底的方法，并且涉及一种HIPIMS溅射系统。本案为分案申请，其母案申请号为201480020113.6，申请日为2014年2月7日，专利技术名称为“HIPIMS溅射的方法和HIPIMS溅射系统”。
技术介绍
定义在本专利技术中，加工包括作用于基底的任何化学、物理或机械作用。在本专利技术中，基底是加工设备中待处理的部件、零件或工件。基底包括但不限于具有矩形、正方形或圆形形状的平坦板状零件。在优选实施例中，本专利技术主要处理平面圆形基底，诸如半导体晶片。真空加工或真空处理系统或设备包括至少一个外壳，其用于将在低于环境大气压力的压力下处理的基底。CVD或化学气相沉积是容许将多个层沉积在热基底上的化学过程。一种或多种挥发性前体材料被供给到加工系统，在其中，它们在基底上反应和/或分解，以产生期望的沉积物。CVD的变型包括低压CVD（LPCVD）-在低于大气压的压力下进行的CVD过程；超高真空CVD（UHVCVD）-通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射涂覆基底的方法，所述方法包括：/n提供具有溅射表面和具有后表面的靶材，所述靶材包括铁磁材料；/n沿所述后表面提供磁体结构；/n使所述磁体结构围绕垂直于所述后表面的旋转轴线枢转或旋转；/n其中，所述磁体结构包括沿一对闭环布置的磁极，所述一对的所述闭环中的外部闭环完全围绕所述一对的所述闭环中的内部闭环，并且远离所述闭环中的所述内部闭环；/n朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的一个布置的所述磁极相对于朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的另一个布置的所述磁极具有相反的磁极性；/n其中，所述一对闭环被细分成第一部分和第二部分，由此所述一对闭环中的所述外部闭环被细分成所述第一部分中的第...

【技术特征摘要】
20130208 US 61/7624391.一种溅射涂覆基底的方法，所述方法包括：
提供具有溅射表面和具有后表面的靶材，所述靶材包括铁磁材料；
沿所述后表面提供磁体结构；
使所述磁体结构围绕垂直于所述后表面的旋转轴线枢转或旋转；
其中，所述磁体结构包括沿一对闭环布置的磁极，所述一对的所述闭环中的外部闭环完全围绕所述一对的所述闭环中的内部闭环，并且远离所述闭环中的所述内部闭环；
朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的一个布置的所述磁极相对于朝向所述后侧并且沿所述一对的所述闭环中的另一个布置的所述磁极具有相反的磁极性；
其中，所述一对闭环被细分成第一部分和第二部分，由此所述一对闭环中的所述外部闭环被细分成所述第一部分中的第一外部部段和所述第二部分中的第二外部部段，并且由此所述一对闭环中的所述内部闭环被细分成所述第一部分中的第一内部部段和所述第二部分中的第二内部部段；
在二者都相对于所述旋转轴线沿径向方向考虑的情况下，所述第一外部部段比所述第二外部部段距离所述旋转轴线更远；
所述方法包括当所述靶材的操作时间增加时，可控制地增加沿所述第一外部部段和所述第一内部部段中的至少一个的至少主要数量的磁极到所述后侧的距离，超过增加所述第二外部部段和所述第二内部部段的至少主要数量的磁极到所述后侧的距离。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，执行所述可控制地增加所述至少主要数量的磁极沿所述第一外部部段和所述第一内部部段中的至少一个的所述距离，以便在所述靶材的使用寿命内使所述操作的峰值电流脉冲值维持至少近似恒定。


3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁体结构包括单一的一对所述闭环。


4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，通过沿从所述后侧开始并且平行于所述旋转轴线的方向考虑的相等移动，来增加所述第二外部部段和所述第二内部部段的所述至少主要数量的磁极到所述后侧的所述距离。


5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，在所述靶材的操作时间内，所述第二外部部段和所述第二内部部段的所述至少主要数量的磁极到所述后侧的所述距离被保持恒定。


6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在所述靶材的所述操作时间内，所述第二外部部段和所述第二内部部段的所述至少主要数量的磁极的所述距离相等。


7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，在沿所述第一外部部段和沿所述第一内部部段的磁极上执行可控制地增加沿所述第一外部部段和所述第一内部部段中的至少一个的所述至少主要数量的磁极到所述后侧的所述距离。


8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，相等地增加沿所述第一外部部段和所述第一内部部段中的至少一个的所述至少主要数量的磁极的所述距离。


9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，通过沿从所述后侧开始并且平行于所述旋转轴线的方向考虑的相等移动，来增加所述第一外部部段和所述第一内部部段中的所述至少一个的所述至少主要数量的磁极到所述后侧的所述距离。


10.如权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，在所述靶材的操作时间内，所述第一外部部段和所述第一内部部段中的所述至少一个的所述至少主要数量的磁极到所述后侧的所述距离相等。


11.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，在操作时间内，沿所述第一外部部段和所述第一内部部段的磁极的所述距离相等，并且其中，在所述靶材的操作时间内，与沿所述第二外部部段和所述第二内部部段的磁极的距离也相等。


12.如权利要求1至10中任一项所述的方法，其特征在于，沿所述第一外部部段的磁极与所述旋转轴线的平均距离大于沿所述第二外部部段的磁极与所述旋转轴线的平均距离。


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【专利技术属性】
技术研发人员：SU里伊施，J维查特，
申请(专利权)人：瑞士艾发科技，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH