串行总线上的数据编码制造技术

本公开涉及串行总线上的数据编码。一种用于对要在SPI串行总线上传输的数据值进行编码的方法包括：用于至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要传输的数据值来修改存储器的状态寄存器的操作。

【技术实现步骤摘要】
串行总线上的数据编码相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月12日提交的法国专利申请1903929的优先权，其内容在法律允许的最大范围内通过引用整体结合于此。
本描述总体上涉及电子电路，并且更具体地涉及其中多个电路能够在串行总线上通信的系统。
技术介绍
串行总线已经被广泛实现以允许同一系统的多个电子电路彼此通信。例如，在汽车中，计算机经常使用串行总线来允许微处理器在车辆的整个使用过程中在非易失性存储器中读取或写入信息。需要通过串行总线来扩展当前的通信能力。特别希望能够利用串行总线的存在以使得能够对可以独立于通常的通信信道进行传输的附加信息进行编码。在本领域中需要克服用于在串行总线上对数据进行编码的已知方法的全部或一些缺点。
技术实现思路
一个实施例提供了一种用于对要在SPI串行总线上传输的数据值进行编码的方法，其中至少在一个所选择的时刻根据全部或部分上述要传输的数据值来修改存储器的状态寄存器。根据一个实施例，存储器是可重新编程的非易失性存储器。根据一个实施例，通过在写入模式下的存储器的锁存位的状态反转来修改状态寄存器。根据一个实施例，在存储器的写入周期期间修改状态寄存器。根据一个实施例，状态寄存器在存储器中的写入周期期间仅修改一次，要传输的数据值形成位。根据一个实施例，状态寄存器在存储器中的写入周期期间修改多次，要传输的数据值形成包括至少两个位的字。根据一个实施例，在存储器中的写入周期期间，状态寄存器的修改次数与字的连续地传输的位之间的状态转换的次数有关。根据一个实施例，上述要传输的数据值表示存储器的磨损。根据一个实施例，上述要传输的数据值反映在存储器内进行的纠错的次数。一个实施例提供了一种方法，该方法包括：开始在存储器中写入；周期性地发送存储器的状态寄存器；在上述给定时刻修改存储器的状态寄存器，以对全部或部分要传输的数据值进行编码；以及停止在存储器中写入。一个实施例提供一种被配置为实现所描述的方法的电子电路。一个实施例提供了一种包括状态寄存器的非易失性存储器，该状态寄存器被配置为通过所描述的方法的实现来被修改。附图说明在以下通过举例而非限制的方式给出的对特定实施例的描述中，将参考附图对上述特征和优点以及其他特征和优点进行详细描述，在附图中：图1以框图形式非常示意性地示出了电子电路的实施例；图2示出了存储器的状态寄存器的示例；图3是经由串行总线与存储器中的数据写入周期相关联的操作的实施例的序列图；图4示出了用于对要通过串行总线传输的数据值进行编码的方法的实现模式；以及图5示出了用于对要通过串行总线传输的数据值进行编码的方法的另一实现模式。具体实施方式在各个附图中，相似的特征由相似的附图标记表示。特别地，在各个实施例之间共有的结构和/或功能特征可以具有相同的附图标记，并且可以布置相同的结构、尺寸和材料特性。为了清楚起见，仅详细示出和描述对于理解本文中描述的实施例有用的操作和元件。具体地，没有详细说明根据要在串行总线上传输的数据的信号的生成以及接收电路对这些信号的接收，所描述的实施例和实现模式与通过串行总线进行的两个或更多个电路之间的常规传输兼容。除非另有说明，否则当提及连接在一起的两个元件时，表示没有导体以外的任何中间元件的直接连接；而当提及链接或耦合在一起的两个元件时，表示这两个元件可以连接或可以经由一个或多个其他元件链接或耦合。在下面的公开中，除非另有说明，否则当提及绝对位置限定词(诸如术语“前面”、“后面”、“顶部”、“底部”、“左侧”、“右侧”等)或相对位置限定词(诸如术语“上方”、“下方”、“较高”、“较低”等)或取向限定词(诸如“水平”、“垂直”等)时，参考图中所示的取向。除非另有说明，否则表述“约”、“大约”、“基本上”和“近似”表示在10％以内，优选地在5％以内。图1以框图形式非常示意性地示出了所描述的实现模式所适用的类型的电子电路1的实施例。根据该实施例，电子电路1包括：例如有限状态机、微处理器、可编程逻辑电路等类型的一个或多个数字处理单元(PU)11；用于数据和程序的一个或多个易失性(RAM)和/或非易失性(NVM)存储存储器12、13；用于电子电路1内部的各个元件之间的数据、地址和/或命令的一个或多个总线14；用于与电路外部进行通信的一个或多个输入/输出(I/O)接口15；以及在图1中由框16(FCT)表示的根据本申请的功能的各种其他电路。在大多数应用中，存储器13可以用于记录或存储特定于电子电路1的操作的信息、参数、计算结果等。如果适用，存储器13通常与系统的一个或多个其他元件通信。在图1的示例中，考虑存储器13与数字处理单元11交换数据，这在存储器13中读取或写入信息。例如，存储器13是电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。在图1中，总线14允许数据的传输，特别是在数字处理单元11与存储器13之间。因此，数字处理单元11可以通过经由总线14发送请求、指令或操作代码(操作码)来与存储器13通信。这些操作代码通常根据被选择以实现数据传输的总线14来标准化。总线14通常是串行总线，例如SPI(串行外围接口)类型的同步串行数据总线。在总线14是SPI总线的情况下，数字处理单元11可以特别地向存储器发送被表示为“RDSR”的操作代码。由于RDSR操作代码，数字处理单元11可以读取存储器13的状态寄存器。响应于RDSR操作代码的接收，该状态寄存器的内容由存储器13返回到数字处理单元11。状态寄存器特别地表示在存储器13内被允许的或正在执行的过程中的操作。为了简化，除非另有说明，否则下文中将存储器的寄存器比作该寄存器的内容。图2示出了存储器状态寄存器2的示例。在图2的示例中，存储器(例如，图1中的存储器13)的状态寄存器(SR)2通常假定由以下八个位组成的字节的形式：一个位20(WIP——写入进行中)，其被配置为指示存储器中正在进行写入操作；一个位21(WEL——写入启用锁存器)，其用于在写入模式下锁存存储器；两个位22和23(BP0——块保护0和BP1——块保护1)，其组合被配置为界定希望在写入模式下保护的存储器的区域、范围或象限；三个位24、25和26，其值在该示例中被任意地设置为0；以及一个位27(SRWD——状态寄存器写入禁用)，其被配置为禁止对存储器的状态寄存器2的写入。通常不希望存储器的状态寄存器2的位22至27在配备有该存储器的产品的正常使用期间被修改。因此，通常在工厂中向位22到27中的每个分配预定义的值。大多数时候，位22到27中的每个的值因此由实现这样的存储器的设备制造商“硬连线”。作为特定的示例性应用，在汽车领域，该制造商例如是向车辆制造商提供车载计算机或电子控制单元(ECU)的设备制造商。相反，状态寄存器2的位20和21(分别为WIP和WEL)具有通常在配备有这样的存储器的产品的正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于对要在SPI串行总线上传输的数据值进行编码的方法，包括：/n至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要传输的所述数据值来修改存储器的状态寄存器。/n

【技术特征摘要】
20190412 FR 19039291.一种用于对要在SPI串行总线上传输的数据值进行编码的方法，包括：
至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要传输的所述数据值来修改存储器的状态寄存器。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器是可重新编程的非易失性存储器。


3.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述状态寄存器包括在写入模式下执行所述存储器的锁存位的状态反转。


4.根据权利要求1所述的方法，其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的写入周期期间被执行。


5.根据权利要求4所述的方法，其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的所述写入周期期间仅被执行一次，要传输的所述数据值形成位。


6.根据权利要求4所述的方法，其中修改所述状态寄存器在所述存储器中的所述写入周期期间被执行多次，要传输的所述数据值形成具有至少两个位的字。


7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述存储器中的所述写入周期期间，执行的所述状态寄存器的修改的次数与所述字的连续地传输的位之间的状态转换的次数有关。


8.根据权利要求1所述的方法，其中要发送的所述数据值表示所述存储器的磨损情况。


9.根据权利要求1所述的方法，其中要传输的所述数据值反映在所述存储器内进行的纠错的次数。


10.根据权利要求1所述的方法，包括以下步骤：
开始在所述存储器中写入；
周期性地发送所述存储器的所述状态寄存器；
在所述给定时刻修改所述存储器的所述状态寄存器，以对全部或部分要传输的所述数据值进行编码；以及
停止在所述存储器中写入。


11.一种电子电路，包括：
SPI串行总线；
存储器，具有状态寄存器；以及
电路，被配置为通过至少在一个所选择的时刻根据全部或部分要在所述SPI串行总线上传输的数据值修改存储器的状态寄存器，来对要传输的所述数据值进行编码。


12.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述存储器是可重新编程的非易失性存储器。


13.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述电路通过在写入模式下执行所述存储器的锁存位的状态反转来修改所述状态寄存器。


14.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述电路在所述存储器中的写入周期期间修改所述状态寄存器。


15.根据权利要求14所述的电子电路，其中所述状态寄存器的所述修改在所述存储器中的所述写入周期期间仅被执行一次，要传输的所述数据值形成位。


16.根据权利要求14所述的电子电路，其中所述状...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·塔耶特，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR