【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种二维传感器及使用该种传感器测量细胞活性用的测量系统。该种传感器检测细胞活性造成的电位变化。人们正在广泛地进行对于神经细胞的医学研究及关于利用神经细胞作为电器件的可能性的研究。当神经细胞被刺激时，就会产生某种电位。首先，由于阴离子透明度的变化，细胞内侧与外侧的阴离子密度发生变化，然后，细胞膜的电位发生变化。因此，测量细胞膜电位的二维分布，对于观察样品细胞或机体是有用的。测量电位的二维分布提供了一种确定活性部分及活性水平的方法。本专利技术人研制出一种作为二维传感器的集成组合电极，不必将玻璃探针或其他刺激探针插入细胞，即可同时在多个点上测量细胞的电位。这种集成组合电极包括许多排成矩阵的微电极，及其利用导电物质在玻璃板上形成的引线图案，在其上可对样品细胞或机体进行培养。这种集成组合电极使以比玻璃电极或其他普通手段更小的间距，对多个点上的电位变化的测量成为可能。另外，这种集成组合电极还使得对在该集成组合电极上培养的样品细胞或机体进行长期观察成为可能。但是，这种集成组合电极不适合广泛应用，因为测量电极的尺寸和间距都是固定的。换句话说，很难用一个集成组合...
【技术保护点】
一种测量细胞活性用的二维传感器，其特征在于传感器包括：当光照射时导电率增大的光电导层，在光电导层正面形成的绝缘层，在光电导层背面形成的效应电极，以及安置在接近绝缘层的装细胞、培养基和参照电极用的细胞支撑器，其中，当光束照射在 效应电极上产生光斑时，从效应电极获得信号，该信号大体对应于光束照射出的光斑处的电位变化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉原宏和，竹谷诚，龟井明仁，岩崎裕，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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