包含基于含石墨烯的球形PI的填料的石墨片聚酰亚胺膜、其制造方法及使用其制造的石墨片技术

本发明专利技术提供了衍生自包含第一聚酰胺酸的第一前体组合物的石墨片聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜包含可升华的无机填料和基于含石墨烯的球形聚酰亚胺的填料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含基于含石墨烯的球形PI的填料的石墨片聚酰亚胺膜、其制造方法及使用其制造的石墨片
本专利技术涉及包含基于球形的含石墨烯的聚酰亚胺(PI)的填料的石墨片用聚酰亚胺膜、制造所述聚酰亚胺膜的方法以及使用所述聚酰亚胺膜制造的石墨片。
技术介绍
近来，随着重量和尺寸的减小以及紧凑性和集成度的提高，由于每单位体积的产热量的增加而导致的热负荷，电子装置遭受各种问题。此类问题对电子装置的性能具有直接的不利影响，例如由于热负荷而导致的半导体的运行速度的降低、由于电池劣化而导致的使用寿命的降低等。出于此类原因，电子装置的有效散热已经成为非常重要的任务。作为电子装置的散热手段，具有良好导热性的石墨成为了焦点。具体地，容易加工并且具有比铜或铝高约2倍至7倍的导热率的人造石墨片引起了本领域的关注。可以通过聚合物的碳化和石墨化来制造人造石墨片。在各种聚合物中，能够承受约400℃或大于400℃的温度的耐热聚合物可以用作石墨前体。耐热聚合物的实例可以包括PI。聚酰亚胺是主要由强芳香族骨架和具有良好化学稳定性的酰亚胺环组成的聚合物材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衍生自包含第一聚酰胺酸的前体组合物的用于石墨片的聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜包含：/n可升华的无机填料；以及/n含石墨烯的球形聚酰亚胺填料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180228 KR 10-2018-00243011.衍生自包含第一聚酰胺酸的前体组合物的用于石墨片的聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜包含：
可升华的无机填料；以及
含石墨烯的球形聚酰亚胺填料。


2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中相对于100重量份的所述第一聚酰胺酸，所述无机填料以0.2重量份至0.5重量份的量存在，并且相对于100重量份的所述第一聚酰胺酸，所述聚酰亚胺填料以0.1重量份至5重量份的量存在。


3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中所述无机填料具有1.5μm至4.5μm的平均粒径，并且所述聚酰亚胺填料具有1μm至10μm的平均粒径。


4.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中所述无机填料包括选自磷酸氢钙、硫酸钡和碳酸钙中的至少一种类型的无机颗粒。


5.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中所述聚酰亚胺填料包含衍生自第二聚酰胺酸的第二聚酰亚胺链，并且相对于100重量份的所述第二聚酰胺酸，含有1重量份至5重量份的石墨烯。


6.根据权利要求5所述的聚酰亚胺膜，其中构成所述第二聚酰胺酸的单体的组成与构成所述第一聚酰胺酸的单体的组成相同或不同。


7.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中所述聚酰亚胺膜包含衍生自所述第一聚酰胺酸的第一聚酰亚胺链，所述第一聚酰亚胺链的至少一些在平面方向上取向以形成多层结构，并且所述聚酰亚胺填料的至少一些分散在所述多层结构的层之间。


8.根据权利要求7所述的聚酰亚胺膜，其中，在所述聚酰亚胺膜的碳化和/或石墨化时，所述第一聚酰亚胺链的所述多层结构的至少一部分被石墨化以形成多层石墨结构，并且所述聚酰亚胺填料的至少一部分被石墨化以形成将所述多层石墨结构的层彼此连接的连接部。


9.根据权利要求8所述的聚酰亚胺膜，其中所述连接部包括通过所述聚酰亚胺填料的第二聚酰亚胺链的石墨化形成的第一连接部和衍生自所述聚酰亚胺填料的所述石墨烯的第二连接部。


10.制造权利要求1所述的聚酰亚胺膜的方法，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：金敬洙，崔祯烈，元东荣，
申请(专利权)人：PI尖端素材株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR