熔断器的制造方法及器件技术

本申请公开了一种熔断器的制造方法及器件，方法包括：在介质层上形成金属层；对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使第一目标区域和第二目标区域的介质层暴露，在第一目标区域形成第一沟槽，在第二目标区域形成第二沟槽；在金属层上，以及第一沟槽和第二沟槽中形成钝化层；对第一目标区域、第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，在第一目标区域形成第三沟槽，在第二目标区域形成第四沟槽，在第三目标区域形成第五沟槽；在钝化层、第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽的表面形成保护层；对钝化层上方，第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽底部的保护层去除，保留第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽侧壁的保护层。本申请通过在熔断器的侧壁形成保护层提高了良率。

【技术实现步骤摘要】
熔断器的制造方法及器件
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种熔断器(fuse)的制造方法及器件。
技术介绍
半导体集成电路的芯片中，通常设置有熔断器对芯片进行保护。当芯片中的电流过大是，熔断器产生的热量可以使自身熔断，断开电流从而保护芯片。参考图1，其示出了相关技术中提供的熔断器的剖面示意图。如图1所示，介质层110上形成有金属层120，金属层120上形成有钝化层130，钝化层130、金属层120和介质层110中形成有第一熔断器沟槽101和第二熔断器沟槽102，第一熔断器沟槽101和第二熔断器沟槽102之间的金属层120形成熔断器(如图1中虚线所示)，钝化层130中形成有引出沟槽103，引出沟槽103底部的金属层120暴露，其可作为引出的焊点(Pad)。如图1所示，由于相关技术中提供的熔断器的尺寸较小且较薄，在对形成有该熔断器的晶圆进行划片的过程中，有一定几率会被划片过程中的水压所损伤，从而降低了制造良率。
技术实现思路
本申请提供了一种熔断器的制造方法及器件，可以解决相关技术中提供的熔断器有一定几率会被划片过程中的水压所损伤所导致的制造良率较低问题。一方面，本申请实施例提供了一种熔断器的制造方法，包括：在介质层上形成金属层；对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使所述第一目标区域和所述第二目标区域的介质层暴露，在所述第一目标区域形成第一沟槽，在所述第二目标区域形成第二沟槽；在所述金属层上，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成钝化层；对所述第一目标区域、所述第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，所述第一目标区域和所述第二目标区域被刻蚀至所述介质层的目标深度，在所述第一目标区域形成第三沟槽，在所述第二目标区域形成第四沟槽，在所述第三目标区域形成第五沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的金属层暴露，所述第五沟槽底部的金属层暴露；在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层；对所述钝化层上方，所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽底部的保护层去除，保留所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽侧壁的保护层。可选的，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。可选的，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层，包括：在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。可选的，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层，包括：通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)工艺在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。可选的，所述氧化物包括二氧化硅(SiO2)。可选的，所述氮氧化物包括氮氧化硅(SiON)。另一方面，本申请实施例提供了一种器件，包括：介质层；金属层，所述金属层形成于所述介质层上；钝化层，所述钝化层形成于所述金属层上；所述介质层、所述金属层和所述钝化层中形成有第三沟槽和第四沟槽，所述第三沟槽和第四沟槽之间的金属层形成熔断器，所述熔断器顶层暴露，所述钝化层中形成有第五沟槽，所述第五沟槽底部的金属层暴露；其中，所述第三沟槽、第四沟槽和第五沟槽的侧壁形成有保护层。可选的，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。可选的，所述氧化物包括二氧化硅。可选的，所述氮氧化物包括氮氧化硅。可选的，所述金属层包括铜和/或铝。可选的，所述介质层为层间介质(interlayerdielectric，ILD)层或金属介质(intermetaldielectric，IMD)层。可选的，所述介质层包括氧化物和/或氮氧化物。可选的，所述钝化层包括氧化物。本申请技术方案，至少包括如下优点：通过在熔断器的制造过程中，在熔断器两侧的沟槽的侧壁形成保护层，从而降低了熔断器在后续的划片过程中被水压损伤的几率，提高了制造良率。附图说明为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是相关技术中提供的熔断器的剖面示意图；图2是本申请一个示例性实施例提供的熔断器的制造方法的流程图；图3至图8是本申请一个示例性实施例提供的熔断器的制造流程图。具体实施方式下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。参考图2，其示出了本申请一个示例性实施例提供的熔断器的制造方法的流程图，该方法可应用于包含熔断器的器件的制造过程中，该方法包括：步骤201，在介质层上形成金属层。参考图3，其示出了在介质层上形成金属层的剖面示意图。如图3所示，介质层310上形成有金属层320。示例性的，可通过物理气相沉积(physicalvapordeposition，PVD)工艺或者电镀工艺在介质层310上沉积形成金属层320。其中，该介质层310可以是ILD层，也可以是IMD层。可选的，介质层310的构成材料包括氧化物(例如二氧化硅)和/或氮氧化物(例如氮氧化硅)；可选的，金属层320的构成材料包括铝和/或铜。步骤202，对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使第一目标区域和第二目标区域的介质层暴露，在第一目标区域形成第一沟槽，在第二目标区域形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种熔断器的制造方法，其特征在于，包括：/n在介质层上形成金属层；/n对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使所述第一目标区域和所述第二目标区域的介质层暴露，在所述第一目标区域形成第一沟槽，在所述第二目标区域形成第二沟槽；/n在所述金属层上，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成钝化层；/n对所述第一目标区域、所述第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，所述第一目标区域和所述第二目标区域被刻蚀至所述介质层的目标深度，在所述第一目标区域形成第三沟槽，在所述第二目标区域形成第四沟槽，在所述第三目标区域形成第五沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的金属层暴露，所述第五沟槽底部的金属层暴露；/n在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层；/n对所述钝化层上方，所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽底部的保护层去除，保留所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽侧壁的保护层。/n

【技术特征摘要】
1.一种熔断器的制造方法，其特征在于，包括：
在介质层上形成金属层；
对第一目标区域和第二目标区域进行刻蚀，使所述第一目标区域和所述第二目标区域的介质层暴露，在所述第一目标区域形成第一沟槽，在所述第二目标区域形成第二沟槽；
在所述金属层上，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成钝化层；
对所述第一目标区域、所述第二目标区域和第三目标区域进行刻蚀，所述第一目标区域和所述第二目标区域被刻蚀至所述介质层的目标深度，在所述第一目标区域形成第三沟槽，在所述第二目标区域形成第四沟槽，在所述第三目标区域形成第五沟槽，所述第三沟槽和所述第四沟槽之间的金属层暴露，所述第五沟槽底部的金属层暴露；
在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层；
对所述钝化层上方，所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽底部的保护层去除，保留所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽侧壁的保护层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括氧化物和/或氮氧化物。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面形成保护层，包括：
在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述钝化层、所述第三沟槽、所述第四沟槽和所述第五沟槽的表面沉积氧化物和/或氮氧化物形成所述保护层，包括：
通过CVD工艺在所述钝化层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓红标，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31