【技术实现步骤摘要】
一种ZrO2强铁电体薄膜及其热处理方法和应用
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种ZrO2强铁电体薄膜及其热处理方法和应用。
技术介绍
闪存（Flashmemory）作为一种长寿命并且再断电情况下仍然可以保存数据的存储器，应用于各类可移动式存储类产品和智能产品的存储硬盘中。传统的flashmemory通常采用“三明治型”的结构，在两层氧化层中间加入浮栅，通过对控制栅施加正负电压，使得电荷通过“隧道效应”进入和离开浮栅，完成对浮栅的编写和擦除。这一结构虽然可以实现flashmemory单元的基本行为，但是也带来了一系列的缺点。首先，电荷的频繁进出隔离氧化层会导致保持能力变弱，造成浮栅中储存电荷的流失，影响flashmemory单元的可靠性，还会使flashmemory容易被击穿，减少flashmemory单元的寿命；其次，传统flashmemory三明治型的结构，较为复杂，在制作过程中，必须使用多道工序来完成，生产成本较高；同时，对于flashmemory厚度的改良也会因为层数较多，而遇到工艺瓶颈。而最重要的一点，浮栅储...
【技术保护点】
1.一种ZrO
【技术特征摘要】
1.一种ZrO2强铁电体薄膜的热处理方法，其特征在于，在真空条件下，对ZrO2薄膜进行快速退火处理：退火温度为600~700℃，退火后冷却得ZrO2强铁电体薄膜。
2.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述的升温速率为70℃/s，达到退火温度后保持10秒。
3.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述的ZrO2薄膜通过磁控溅射沉积的方法得到。
4.根据权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，所述的ZrO2薄膜的厚度为20nm。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王萱，孙中琳，刘尚，刘大铕，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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