一种半导体封装料片的切割方法技术

本发明专利技术系提供一种半导体封装料片的切割方法，包括以下步骤：料片定位；预设切割线，x切割线和y切割线；第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断；第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断；重复切割，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。本发明专利技术能够有效缩短切割时间，提高切割效率，切割的良率高，切割所获产品的边缘规整无偏移。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装料片的切割方法
本专利技术涉及半导体封装，具体公开了一种半导体封装料片的切割方法。
技术介绍
半导体器件通常包括封装体、芯片和导电引脚，为提高加工效率，将大量导电引脚制作于同一引线框架上，再将各个芯片焊接到引线框架对应的位置上，最后将焊接有芯片的引线框架送至注塑，最后获得半导体封装料片。半导体封装料片内包含多个半导体封装单元即半导体器件，在注塑完成获得半导体封装料片后，需要对半导体封装料片进行切割，最后获得多个独立的半导体封装单元。现有技术中，对半导体封装料片进行切割是通过切割刀片一次性切割而成，切割过程中半导体封装料片会对切割刀片形成较大的阻碍其切割的应力，影响切割精度，切割的不良率高。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有技术问题，提供一种半导体封装料片的切割方法，通过相向切割的方式不但能够有效提高切割效率，同时能够有效提高切割精度，切割的良率高。为解决现有技术问题，本专利技术公开一种半导体封装料片的切割方法，包括以下步骤：S1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元；/nS2、预设切割线，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元；/nS3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，P>p；/nS4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至...

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、料片定位，将半导体封装料片定位于切割平台上，半导体封装料片包括若干半导体封装单元；
S2、预设切割线，在半导体封装料板上设计若干交错设置的x切割线和y切割线，所有x切割线和y切割线之间形成的每个网格中均容纳有一个半导体封装单元；
S3、第一方向切割，两切刀从x切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度p，两个切刀以长度P为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，P>p；
S4、第二方向切割，两切刀从y切割线的两端相向运动对半导体封装料片进行切割，直至两个切刀之间相距长度q，两个切刀以长度Q为前进距离同向运动对半导体封装片进行裁断，两个切刀相背运动脱离半导体封装料片，Q>q；
S5、重复切割，重复步骤S3和S4，分别对各个x切割线和y切割线完成切割。


2.根据权利要求1所述的一种半导体封装料片的切割方法，其特征在于，步骤S3和S4中，两个切刀均为金刚石刀片。


3.根据权利要求1所述的一种半导体封装料...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾贵德，
申请(专利权)人：东莞市佳骏电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44