显示面板及其制备方法技术

技术编号:25892989 阅读:29 留言:0更新日期:2020-10-09 23:37
本发明专利技术提供一种显示面板及其制备方法。所述显示面板中包括基板、至少一凸起结构、薄膜封装层以及平坦层。所述凸起结构设于所述基板上。所述薄膜封装层覆盖于所述基板上、所述凸起结构上以及所述间隙的间隙壁上。所述平坦层设于所述薄膜封装层上。其中,所述平坦层中包括六甲基二硅氧烷。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示设备领域,特别是一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
在平板显示技术中,有机电致发光(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高、功耗低及可制备柔性屏等诸多优异特性,引起了科研界和产业界极大的兴趣,逐渐成为继液晶显示器(Liquidcrystaldisplays,LCD)后的第三代显示技术。现如今“全面屏”的设计成为时代的主流,各供应商单位都专注于研发屏占比较高的全面屏产品。例如iPhoneX手机采用的异形(Notch)屏设计,屏占比可达到81.15%。近期兴起的屏下摄像头设计即O型切割(O-Cut)屏设计,在显示屏(Panel)内切割出“O”形槽,用于放置摄像头,与Notch设计相比,O-Cut设计更趋近于全面屏效果,O-Cut区域的大小,仅考虑前置摄像头即可,因此,O-Cut区域远小于Notch区域所占整个Panel的比例,O-Cut设计的全面屏优势更为明显,因此在手机显示屏幕市场占有很大的优势。O-Cut设计虽然更趋近于全面屏,但也面临技术难题,且在OLED柔性显示器(FlexibleDisplay)中实现O-Cut设计,显得尤为困难。目前,对于OLED面板的制作大致按照如下步骤进行:首先制作形成柔性衬底基板,然后在柔性衬底基板上依次制作形成薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)阵列(Array)层、OLED层及薄膜封装层,最后进行O-Cutting制程,利用激光(Laser)进行切割开孔,在Panel的有效显示(ActiveArea,AA)区部分,切割掉“O”形区域,形成用于放置摄像头的“O”形槽。对于O-Cut区域,虽然Array段的器件及走线等可以进行避让,但在OLED制程中,空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层等是利用开放式掩膜板(OpenMask)蒸镀生成,在对O-Cut区域进行切割后,切割区域势必会影响薄膜封装层的完整性,此时水汽就会从该位置浸入,从而使Panel失去功能性。为了提高面板的阻水型能,现有技术中通常在O-Cut区域中设计了凸起结构,依靠凸起结构中的上部宽度比下部宽度大形成的蘑菇型特殊结构,可以使得OLED层在O-Cut区域边缘不连贯,薄膜封装层连贯,从而实现HIA区域的侧向封装。在封装膜层上方直接制备触控功能层是目前器件薄化、柔性化的主流实现方式。但是O-Cut型OLED显示器件中,O-Cut区域存在蘑菇型凸起结构,其呈凹槽状,该区域凹凸不平,因此该区域上方的触控功能层中金属走线因过蚀刻而造成短路的风险极大,同时在凹槽内易发生金属残留、在后段切割工艺时极易产生裂纹(crack)。鉴于光阻的可涂布性,可在O-Cut区域上方涂布有机光阻进行平坦化。然而多条凹凸结构,呈封闭的圆环结构,在涂布有机物时,气体容易在凹凸结构内部进行聚集,导致部分凹凸结构上方无法涂布,未涂布区域依然存在触控功能层内的金属残留,切割极易产生裂纹(Crack)。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种显示面板及其制备方法,以解决现有技术中制备平坦层时由于气体容易在面板间隙结构内部进行聚集,导致部分结构上方无法涂布有机光阻,未涂布区域容易存在触控功能层内的金属残留,切割极易产生裂纹等问题。为实现上述目的,本专利技术提供一种显示面板,所述显示面板具有一功能区以及包围所述功能区的显示区,所述功能区中具有一透光区。所述显示面板中包括基板、至少一凸起结构、薄膜封装层以及平坦层。所述基板设于整个所述显示区和所述功能区。所述凸起结构设于所述基板上,所述凸起结构位于所述功能区并围绕所述透光区,所述凸起结构与所述显示区之间具有一间隙。所述薄膜封装层覆盖于所述基板上、所述凸起结构上以及所述间隙的间隙壁上。所述平坦层设于所述薄膜封装层上并填充所述间隙。其中,所述平坦层中包括六甲基二硅氧烷。进一步地,所述平坦层包括第一填充层和第二填充层。所述第一填充层设于所述薄膜封装层上。所述第二填充层设于所述第一填充层上。其中,所述第一填充层中包含六甲基二硅氧烷,所述第二填充层中包含有机材料。进一步地,所述凸起结构中包括第一层和第二层。所述第一层设于所述基板上。所述第二层设于所述第一层上。所述第一层的宽度小于所述第二层的宽度。进一步地,所述薄膜封装层包括第一阻挡层、缓冲层以及第二缓冲层。所述第一阻挡层覆盖所述基板和所述凸起结构。所述缓冲层设于所述第一阻挡层上并围绕所述功能区。所述第二阻挡层覆盖所述第一阻挡层和所述缓冲层上。其中,所述第二阻挡层中包含六甲基二硅氧烷、有机材料中的至少一种。进一步地,所述显示面板中还包括触控层和一透光孔。所述触控层设于所述平坦层上。所述透光孔贯穿所述显示面板并对应所述透光区。本专利技术中还提供一种上述显示面板的制备方法,其包括以下步骤:提供一基板,在所述基板上形成凸起结构。在所述基板和所述凸起结构上形成薄膜封装层。在所述薄膜封装层上形成平坦层。其中,所述平坦层的材料中包括含氧气体、六甲基二甲硅醚、四氟化硅。进一步地,当所述含氧气体的气体流量小于所述六甲基二甲硅醚的气体流量,并且所述四氟化硅的气体流量与所述六甲基二甲硅醚的气体流量的比值为0.5-1.5时,在所述薄膜封装层上形成所述平坦层步骤中包括以下步骤:在所述薄膜封装层上通过化学气相沉积法流入所述含氧气体、所述六甲基二甲硅醚以及所述四氟化硅沉积形成第一填充层。在所述第一填充层上通过涂布法或喷墨打印法形成第二填充层。进一步地,当所述含氧气体的气体流量为所述六甲基二甲硅醚的气体流量的两倍及以上时,在所述薄膜封装层上形成所述平坦层步骤中包括以下步骤:通过化学气相沉积法流入所述含氧气体、所述六甲基二甲硅醚以及所述四氟化硅沉积形成所述平坦层。进一步地,在所述有机发光器件层和所述凸起结构上形成所述薄膜封装层步骤中包括以下步骤:在所述有机发光器件层和所述凸起结构上通过化学气相沉积法形成第一阻挡层。在部分第一阻挡层上形成缓冲层。在所述缓冲层和所述第一阻挡层上通过化学气相沉积法形成第二阻挡层。其中,所述第二阻挡层的材料中具有含氧气体、六甲基二甲硅醚、四氟化硅、有机材料中的至少一种。进一步地,当所述第二阻挡层的材料中具有含氧气体、六甲基二甲硅醚、四氟化硅时,所述含氧气体的气体流量与所述六甲基二甲硅醚的气体流量的比值小于2。本专利技术的优点是:本专利技术的一种显示面板及其制备方法,其通过化学气相沉积法制备出包含六甲基二硅氧烷材料的平坦层,其采用的化学气相沉积法可以防止由于气体聚集而导致的填充不均匀的现象,使触控层能均匀制备,防止金属残留,激光切割可不容易出现裂痕。同时,六甲基二硅氧烷材料相较于有机材料具有更好的柔性,可以提升面板的弯折性能,并且还可以减少有机材料的用量,减少生产成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种显示面板,其特征在于,具有一功能区以及包围所述功能区的显示区,所述功能区中具有一透光区;/n所述显示面板包括:/n基板,设于整个所述显示区和所述功能区;/n至少一凸起结构,设于所述基板上,所述凸起结构位于所述功能区并围绕所述透光区,所述凸起结构与所述显示区之间具有一间隙;/n薄膜封装层,覆盖于所述基板上、所述凸起结构上以及所述间隙的间隙壁上;/n平坦层,设于所述薄膜封装层上并填充所述间隙;/n其中,所述平坦层中包括六甲基二硅氧烷。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,具有一功能区以及包围所述功能区的显示区,所述功能区中具有一透光区;
所述显示面板包括:
基板,设于整个所述显示区和所述功能区;
至少一凸起结构,设于所述基板上,所述凸起结构位于所述功能区并围绕所述透光区,所述凸起结构与所述显示区之间具有一间隙;
薄膜封装层,覆盖于所述基板上、所述凸起结构上以及所述间隙的间隙壁上;
平坦层,设于所述薄膜封装层上并填充所述间隙;
其中,所述平坦层中包括六甲基二硅氧烷。


2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平坦层包括:
第一填充层,设于所述薄膜封装层上;
第二填充层,设于所述第一填充层上;
其中,所述第一填充层中包含六甲基二硅氧烷,所述第二填充层中包含有机材料。


3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述凸起结构中包括:
第一层,设于所述基板上;
第二层,设于所述第一层上;
所述第一层的宽度小于所述第二层的宽度。


4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜封装层包括:
第一阻挡层,覆盖所述基板和所述凸起结构;
缓冲层,设于所述第一阻挡层上并围绕所述功能区;
第二阻挡层,覆盖所述第一阻挡层和所述缓冲层上;
其中,所述第二阻挡层中包含六甲基二硅氧烷、有机材料中的至少一种。


5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
触控层,设于所述平坦层上;
透光孔,贯穿所述显示面板并对应所述透光区。


6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基板,在所述基板上形成凸起结构;
在所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员:王一佳
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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