用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法技术

技术编号:25892987 阅读:23 留言:0更新日期:2020-10-09 23:37
本申请提供了一种用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法,所述显示面板包括:一基板;一电致发光层、一阴极及一金属透明层。所述电致发光层设置在所述基板上,所述阴极设置在所述电致发光层上,所述阴极的表面具有一凹槽,所述凹槽的位置对应于所述显示面板下方设置的一摄像头位置,所述金属透明层设置在所述阴极的所述凹槽中,所述金属透明层是衍生自所述阴极与一酸性气体或一氧化性气体反应的产物。

【技术实现步骤摘要】
用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法
本申请有关于显示
,特别是有关于一种用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法。
技术介绍
随着技术的发展及智能手机的普及,消费者对于手机的要求越来越高,很多应用程序皆需要全屏显示,屏占比大的手机成为市场上的主流。尽管目前的手机屏幕已把边框缩窄来扩大显示区域,更将基本按键隐藏在萤幕内,然而,前置摄像机仍占据了屏幕的一定区域,前置摄像机所在的黑色区域阻挡了画面显示,使手机无法达到真正的全面屏。为此,各大面板厂商均正在尝试提高屏幕的屏占比,例如设置隐藏式升降摄像头或是采用了滑盖方式去隐藏前后摄像头,这些设计皆造成屏幕的厚度增加、摄像头所在的滑盖容易失灵或断裂、摄像头因长期滑动而造成摩损等问题,更造成制造成本高昂、体积及重量较大,使用寿命短、无法提供良好的使用者体验等,使得至今仍无法制造出真正的全面屏的手机。故,有必要提供一种用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法,以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种用于屏下摄像头的显示面板及其制造方法,以解决现有技术所存在的前置摄像机所在的黑色区域阻挡了画面显示,使手机无法达到真正的全面屏的问题。为达成本专利技术的前述目的,本专利技术一实施例提供一种用于屏下摄像头的显示面板,其包括:一基板;一电致发光层,设置在所述基板上;一阴极,设置在所述电致发光层上,所述阴极的表面具有一凹槽,所述凹槽的位置对应于所述显示面板下方设置的一摄像头位置;及一金属透明层,设置在所述阴极的所述凹槽中。在本专利技术的一实施例中,所述金属透明层为无机盐或金属氧化物。在本专利技术的一实施例中,所述显示面板还包括:一覆盖层,设置在所述阴极上,所述覆盖层用于阻碍所述阴极的一表面的多个电子进行表面等离子体共振效应。在本专利技术的一实施例中,所述显示面板还包括:一保护层,设置在所述阴极上,所述保护层可选自于由LiF及SiO2所组成的群组。在本专利技术的一实施例中,所述显示面板还包括:一薄膜封装层,设置在所述阴极上。再者,本专利技术另一实施例另提供一种制造用于屏下摄像头的显示面板的方法,其包括以下多个步骤:依次设置一基板、一电致发光层及一阴极;在阴极上设置一无机盐,以形成一金属掩膜板,所述金属掩膜板具有一开口以暴露所述阴极,所述开口的位置对应于一摄像头位置;及使用一酸性气体或一氧化性气体对所述金属掩膜板暴露的所述阴极进行反应,在所述阴极的表面形成一凹槽状的一金属透明层。在本专利技术的一实施例中,所述酸性气体或所述一氧化性气体使所述阴极生成无机盐或金属氧化物。在本专利技术的一实施例中,所述方法还包括:在所述阴极上设置一覆盖层,以阻碍所述阴极的一表面的多个电子进行表面等离子体共振效应。在本专利技术的一实施例中,所述方法还包括:在所述阴极上设置一保护层,所述保护层可选自于由LiF及SiO2所组成的群组。在本专利技术的一实施例中,所述方法还包括:在所述阴极上设置一薄膜封装层。与现有技术相比较,本专利技术的阴极可与酸性气体或氧化气体反应,形成金属透明层区域,减少了摄像头上方阴极的厚度,同时节省多道工艺及制造成本。通过使部分阴极透明化,提高光线的透过率,达到屏下摄像头的设计,保障拍照的正常进行,提高视觉效果,改善由于像素密度不同而导致的人眼的差异感。此外,本专利技术更可通过在多个金属透明层处分别设置摄像头,改善拍照图片的质量,并提高摄像的范围。附图说明为让本专利技术的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下。图1为本专利技术的一实施例的制造用于屏下摄像头的显示面板的方法的一流程图。图2为本专利技术的一实施例的用于屏下摄像头的显示面板的基板、电致发光层及阴极的一示意图。图3为图2的所述显示面板上设置一金属掩膜网的一示意图。图4为图3的所述显示面板上设置一金属透明层的一示意图。图5为图4的所述显示面板上设置一覆盖层的一示意图。图6为图5的所述显示面板上设置一薄膜封装层的一示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者,本专利技术所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。本文所用术语“包含”、“具有”及其词形变化是指“包含但不限于”。本文所用术语“一”、“一个”及“至少一”包含复数引用,除非上下文另有明确规定。例如,术语“一处理模组”或“至少一处理模组”可以包含多个处理模组,包含其组合物。本文所用术语“多个”、“数个”除另有说明外皆可选自二个、三个或以上,而“至少一个”除另有说明外皆可选自一个、二个、三个或以上,于此合先叙明。本文所用术语“可选择地”表示在一些实施例中提供,而在其它实施例中不提供。任何本专利技术的特定实施例可以包含多个“可选择的”特征,除非此类特征相冲突。请参照图1至图6,图1为本专利技术的一实施例的制造用于屏下摄像头的显示面板的方法的一流程图,图2为本专利技术的一实施例的用于屏下摄像头的显示面板的基板、电致发光层及阴极的一示意图,图3为图2的所述显示面板上设置一金属掩膜网的一示意图,图4为图3的所述显示面板上设置一金属透明层的一示意图,图5为图4的所述显示面板上设置一覆盖层的一示意图以及图6为图5的所述显示面板上设置一薄膜封装层的一示意图。如图1及图6所示,本专利技术的一实施例提供了一种制造用于屏下摄像头200的显示面板10的方法,其包括以下多个步骤:S101:如图2所示,依次设置一基板110、一电致发光层120及一阴极130,具体地,所述电致发光层120及所述阴极130可通过如溅镀、物理气相沉积、化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积等方法形成在所述基板110上。S102:如图3所示,在阴极130上设置一无机盐,所述无机盐对所述阴极130进行保护,以形成一金属掩膜板140,所述金属掩膜板140具有一开口以暴露所述阴极130,所述开口的位置对应于一摄像头200位置。S103:如图3及图4所示,使用一酸性气体或一氧化性气体对所述金属掩膜板140暴露的所述阴极130进行反应,在所述阴极130的表面形成一凹槽131状的一金属透明层150。所述酸性气体或所述一氧化性气体使所述阴极130生成无机盐或金属氧化物。S104:如图5所示,在所述阴极130上设置一覆盖层160,以阻碍所述阴极130的一表面的多个电子进行表面等离子体共振效应,具体地,所述覆盖层160可通过如溅镀、物理气相沉积、化学气相沉积或等离子体增强化学气相沉积等方法形成在所述阴极130上。S105:如图5所示,可选地,在所述阴极130上可设置一保护层170,具体地,所述保护层170可通过如溅镀、物理气相沉积、化学气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于屏下摄像头的显示面板,其特征在于:其包括:/n一基板;/n一电致发光层,设置在所述基板上;/n一阴极,设置在所述电致发光层上,所述阴极的表面具有一凹槽,所述凹槽的位置对应于所述显示面板下方设置的一摄像头位置;及/n一金属透明层,设置在所述阴极的所述凹槽中。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于屏下摄像头的显示面板,其特征在于:其包括:
一基板;
一电致发光层,设置在所述基板上;
一阴极,设置在所述电致发光层上,所述阴极的表面具有一凹槽,所述凹槽的位置对应于所述显示面板下方设置的一摄像头位置;及
一金属透明层,设置在所述阴极的所述凹槽中。


2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述金属透明层为无机盐或金属氧化物。


3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包括:一覆盖层,设置在所述阴极上,所述覆盖层用于阻碍所述阴极的一表面的多个电子进行表面等离子体共振效应。


4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包括:一保护层,设置在所述阴极上,所述保护层可选自于由LiF及SiO2所组成的群组。


5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述显示面板还包括:一薄膜封装层,设置在所述阴极上。


6.一种制造用于屏下摄...

【专利技术属性】
技术研发人员:王振民
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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