控制器、包括控制器的存储器系统及其操作方法技术方案

本申请可以提供一种控制器、包括该控制器的存储器系统以及操作该存储器系统的方法。该控制器可以包括：处理器，被配置为响应于从主机接收的读取命令而控制存储器装置的读取操作；以及错误校正电路，被配置为在读取操作期间对从存储器装置接收的读取数据执行错误校正操作。该处理器可以在读取操作期间确定存储器装置的劣化特性，并控制该存储器装置选择并对已执行读取操作的存储器单元执行重新编程操作和回收操作中的任何一个。

【技术实现步骤摘要】
控制器、包括控制器的存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年3月26日提交的申请号为10-2019-0034676的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且特别地，涉及一种控制器、包括该控制器的存储器系统以及操作该存储器系统的方法。
技术介绍
近来，计算机环境范例已经转变为普适计算，以便能够随时随地使用计算机系统。因此，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经快速增长。通常，便携式电子装置使用采用存储器装置的存储器系统来存储数据，即用作数据存储装置。存储器装置可以被用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。因为不存在机械驱动部件，所以使用存储器装置的存储器系统提供的优点在于，稳定性和耐久性优异，信息访问速度提高，并且功耗降低。具有这些优点的存储器系统的示例可以包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等。存储器装置可以分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。尽管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制器，包括：/n处理器，响应于从主机接收的读取命令而控制存储器装置的读取操作；以及/n错误校正电路，在所述读取操作期间对从所述存储器装置接收的读取数据执行错误校正操作，/n其中所述处理器在所述读取操作期间进一步确定所述存储器装置的劣化特性，并控制所述存储器装置选择并对已执行所述读取操作的存储器单元执行重新编程操作和回收操作中的任何一个。/n

【技术特征摘要】
20190326 KR 10-2019-00346761.一种控制器，包括：
处理器，响应于从主机接收的读取命令而控制存储器装置的读取操作；以及
错误校正电路，在所述读取操作期间对从所述存储器装置接收的读取数据执行错误校正操作，
其中所述处理器在所述读取操作期间进一步确定所述存储器装置的劣化特性，并控制所述存储器装置选择并对已执行所述读取操作的存储器单元执行重新编程操作和回收操作中的任何一个。


2.根据权利要求1所述的控制器，其中所述处理器包括：
闪存转换层，响应于所述读取命令而生成用于控制所述存储器装置的所述读取操作的命令队列；以及
保持特性改善块，如果所述读取操作失败，则通过将参考读取电压与在所述读取操作期间使用的最佳读取电压进行比较来确定所述劣化特性，响应于所确定的劣化特性选择所述重新编程操作和所述回收操作中的任何一个，并且控制所述存储器装置。


3.根据权利要求2所述的控制器，
其中，在所述读取操作期间，所述闪存转换层控制所述存储器装置使用所述参考读取电压和包括在读取重试表中的读取电压集来执行第一读取操作，并且
其中，如果对所述第一读取操作期间读取的第一读取数据的第一错误校正操作的结果指示已发生失败，则所述闪存转换层控制所述存储器装置使用所述最佳读取电压来执行第二读取操作。


4.根据权利要求3所述的控制器，
其中所述闪存转换层控制所述存储器装置执行作为所述第二读取操作的eBoost操作或软解码操作，
其中所述eBoost操作或所述软解码操作包括在改变读取电压的同时执行多个读取操作。


5.根据权利要求3所述的控制器，其中，如果对所述第二读取操作期间读取的第二读取数据的第二错误校正操作的结果指示不包括错误位或包括最少数量的错误位，则所述闪存转换层控制所述存储器装置使得读取电压被设置为所述最佳读取电压并执行所述第二读取操作。


6.根据权利要求3所述的控制器，
其中所述保持特性改善块通过将所述参考读取电压和所述最佳读取电压进行比较来检测分别与多个编程状态相对应的读取电压差值，并且
其中当所述多个编程状态之中的具有高阈值电压的至少一个或多个最高有效编程状态的所述读取电压差值大于其它编程状态的所述读取电压差值时，所述保持特性改善块确定所述劣化特性为低温数据保持劣化特性，即LTDR劣化特性。


7.根据权利要求6所述的控制器，
其中当所述劣化特性为所述LTDR劣化特性时，所述保持特性改善块控制所述存储器装置对所述存储器单元执行所述重新编程操作；并且
其中，当所述劣化特性不是所述LTDR劣化特性时，所述保持特性改善块控制所述存储器装置对所述存储器单元执行所述回收操作。


8.根据权利要求6所述的控制器，其中所述保持特性改善块包括：
读取电压比较块，将所述参考读取电压和所述最佳读取电压进行比较，并检测分别与所述多个编程状态相对应的所述读取电压差值；
LTDR确定块，基于分别与所述多个编程状态相对应的所述读取电压差值，确定所述存储器单元的劣化特性是否为所述LTDR劣化特性；
算法选择块，基于通过所述LTDR确定块确定所述存储器单元的所述劣化特性的结果来选择重新编程算法和回收算法中的任何一个；
重新编程控制块，在选择所述重新编程算法时，控制所述存储器装置执行所述重新编程操作；以及
回收控制块，在选择所述回收算法时，控制所述存储器装置执行所述回收操作。


9.一种存储器系统，包括：
存储器装置，包括多个经数据编程的存储器单元；以及
控制器，响应于从主机接收的读取命令而控制所述存储器装置对所述多个存储器单元执行读取操作，
其中，当在所述读取操作期间发生失败时，所述控制器进一步确定所述多个存储器单元的劣化特性，并控制所述存储器装置对所述多个存储器单元执行重新编程操作或回收操作。


10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述控制器包括：
处理器，在所述读取操作期间控制所述存储器装置使用参考读取电压和读取重试电压来执行第一读取操作，并且如果所述第一读取操作失败时控制所述存储器装置设置最佳读取电压并执行第二读取操作；以及
错误校正电路，对作为所述第一读取操作的结果而读取的第一读取数据执行错误校正操作，并对作为所述第二读取操作的结果而读取的第二读取数据执行错误校...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵赞赫，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR