烷氧基硅化合物的精制方法技术

本发明专利技术的目的是提供通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。解决手段是用具有下述式(1‑1)～(1‑3)中的任一者所示的官能团的螯合树脂进行处理。

【技术实现步骤摘要】
烷氧基硅化合物的精制方法
涉及在半导体装置制造中的光刻工序中成为缺陷的原因的金属杂质减少了的烷氧基硅化合物的产业上有用的精制方法。
技术介绍
对于在半导体装置制造中的光刻工序中使用的光刻用涂布膜形成用组合物，要求减少成为晶片上的微小缺陷(例如1～100nm左右，称为缺陷(defect)等)的原因的金属杂质。作为将这样的金属杂质除去的方法，已知用硅胶柱进行处理而除去的方法(非专利文献1)，但除去率差，不适于工业规模。此外，作为将金属杂质除去的方法，已知采用离子交换树脂的方法，但具有烷氧基硅烷水解、或被精制化合物向离子交换树脂的吸附大，经济上精制效率变差这样的问题。此外，采用蒸馏的精制也可以作为将金属杂质高效地除去的方法使用，但具有在被精制化合物为固体或高沸点的情况下，或在被精制化合物对热的稳定性低的情况下不能适用等问题。现有技术文献非专利文献非专利文献1：実験化学講座，第2卷，p114
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是为了解决这样的课题而提出的，其目的是提供通过用具有含有特定原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附量少，并且能够使金属杂质减少的烷氧基化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。用于解决课题的方法本专利技术者们为了达到上述目的而反复进行了深入研究，结果发现了通过用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理，从而能够抑制被精制烷氧基硅化合物对螯合树脂的吸附并且高效地使金属杂质减少的方法，从而完成了本专利技术。即，本专利技术提供下述烷氧基硅化合物的精制方法以及烷氧基硅化合物。1.一种烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。2.根据上述1所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述官能团由下述式(1-1)～(1-3)中的任一者表示。(在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)3.根据上述1或上述2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用包含上述螯合树脂的混合物或上述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。4.根据上述1或上述2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，使用选自上述螯合树脂、包含上述螯合树脂的混合物、其它螯合树脂、和上述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物中的2种以上物质，一个一个地依次对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。5.根据上述1～上述4中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物的分子量为5000以下。6.根据上述1～上述5中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物是使具有羟基、氨基或芳基的化合物在过渡金属催化剂存在下与烷氧基硅化合物反应而获得的化合物。7.根据上述6所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物是使具有芳基的化合物在过渡金属催化剂存在下与具有Si-H键的烷氧基硅化合物反应而获得的化合物。8.根据上述7所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述具有Si-H键的烷氧基硅化合物是三烷氧基硅烷化合物。9.根据上述1～上述8中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方法，上述烷氧基硅化合物是通过具有芳基的异氰脲酸衍生物与具有Si-H键的烷氧基硅化合物的反应而获得的化合物。10.一种烷氧基硅化合物，是将包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂进行处理而得的、残存金属杂质的量以100重量％计为1ppm以下的烷氧基硅化合物。11.根据上述10所述的烷氧基硅化合物，上述残存金属是Pt、Ir、Re、Ni、Mo、Fe、Ti、Ca和Sr中的任一者。专利技术的效果根据本专利技术的烷氧基硅化合物的精制方法，无论被精制烷氧基硅化合物的性状如何，都能够经济且高效地使金属杂质减少。此外，无论被精制烷氧基硅化合物的性状如何，都能够经济且高效地获得金属杂质减少了的烷氧基硅化合物。具体实施方式＜螯合树脂＞螯合树脂是使螯合性官能团与聚苯乙烯、或交联化多孔质聚苯乙烯等作为载体的树脂的表面结合而成的物质。在多孔质载体的情况下能够使螯合性官能团与细孔的内部结合。通过使螯合性官能团与载体的表面结合，能够在溶液中与金属杂质高效地接触。作为螯合树脂中的载体，也可以使用二氧化硅、或含有二氧化硅成分的物质。二氧化硅、含有二氧化硅成分的物质可以是合成品、天然品的任一者，但优选为没有杂质溶出的载体，可以使用例如将高纯度烷氧基硅烷水解而获得的二氧化硅成型进行烧成而制造的合成石英(SiO2)。含有二氧化硅成分的物质可以使用镁橄榄石(2MgO·SiO2)、锆石(ZrO2·SiO2)、莫来石(3Al2O3·2SiO2)、块滑石(MgO·SiO2)、堇青石(2MgO·2Al2O3·5SiO2)等。在用螯合性官能团对二氧化硅、或含有二氧化硅成分的物质进行修饰时，具有能够与螯合性官能团的末端反应的官能团的硅烷偶联剂能够与二氧化硅、或含有二氧化硅成分的物质粒子的表面的二氧化硅成分反应从而对表面进行修饰而导入螯合性官能团。作为能够与螯合性官能团的末端反应的官能团，可举出例如乙烯基、芳基、羟基、卤基、环氧基、硫醇基等。硅烷偶联剂可以具有1个～3个水解性基，但从对载体的密合性考虑可以具有3个水解性基。螯合性官能团附加于二氧化硅粒子而得的螯合树脂能够填充于柱而直接使用。在用螯合性官能团对聚苯乙烯进行修饰时可以对聚苯乙烯通过氯甲基化剂(例如，氯甲基甲基醚)在聚苯乙烯粒子表面导入氯甲基，氯甲基与螯合性官能团进一步反应，从而向聚苯乙烯导入螯合性官能团。聚苯乙烯的形态为粒子状，可以直接填充于柱而使用。在使用聚苯乙烯作为螯合树脂中的载体的情况下，为了避免杂质溶出，聚苯乙烯可以使用高度交联的交联化多孔质聚苯乙烯。作为交联剂，可使用二乙烯基化合物，可以使用例如二乙烯基苯、二乙烯基甲烷等。此外，作为吸附剂，优选使用比表面积大的聚苯乙烯，可以使用多孔性的聚苯乙烯。关于聚苯乙烯的多孔化，通过在苯乙烯的聚合时少量加入非溶剂进行聚合，可以获得多孔性的聚苯乙烯。上述载体可以以粒子状使用。作为粒子，在聚苯乙烯、或交联化多孔质聚苯乙烯的情况下可以以例如1μm～10mm、或1μm～1mm、或10μm～1mm左右的粒径使用。另外，在二氧化硅、或含有二氧化硅成分的物质的情况下，可以以1μm～1mm、或1μm～500μm、或10μm～100μm左右的粒径使用。在本专利技术中使用的螯合树脂以具有含有硫原子和氮原子的官能团作为特征。作为具有硫原子和氮原子的螯合性官能团的具体例，可举出下述式(1-1)～式(1-3)所示的基团。(在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端)只要具有这些官能团，就本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。/n

【技术特征摘要】
20190328 JP 2019-063479;20200228 JP 2020-0339661.一种烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用具有含有硫原子和氮原子的官能团的螯合树脂，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。


2.根据权利要求1所述的烷氧基硅化合物的精制方法，所述官能团由下述式(1-1)～(1-3)中的任一者表示，



在式(1-1)～(1-3)中，＊表示与作为载体的树脂的结合端。


3.根据权利要求1或2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，用包含所述螯合树脂的混合物或所述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物，对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。


4.根据权利要求1或2所述的烷氧基硅化合物的精制方法，其特征在于，使用选自所述螯合树脂、包含所述螯合树脂的混合物、其它螯合树脂、和所述螯合树脂与其它螯合树脂的混合物中的2种以上物质，一个一个地依次对包含金属杂质的被精制烷氧基硅化合物进行处理。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的烷氧基硅化合物的精制方...

【专利技术属性】
技术研发人员：窪寺俊，谷口博昭，孙军，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP