【技术实现步骤摘要】
一种晶圆高温测试载台
本技术涉及芯片领域,特别涉及一种晶圆高温测试载台。
技术介绍
WaferLeave测试机与目前市场常规的多工位CMOS测试机相比,其效率更高效,但因其测试的产品属Wafer级,为同一整体,因此其测试结构需完全包含整片Wafer,也因其结构尺寸较大,导致原来很多针对单颗Die可以进行的测试方式无法被采用;市场多见的给予CMOS芯片高温测试条件的多使用加热棒、加热丝等物理媒介提供的热环境来满足芯片的高温测试,但针对Wafer级产品高温测试时,以上方式即无法在有效安全的条件下实现整片Wafer加热,也无法稳定的保障整片Wafer的温度一致性。而加热棒、加热丝等物理媒介加热,物理媒介加热,如需要对整片Wafer进行加热,因结构散热的特性,势必需要加热位置提高温度,才能保证整个Wafer的加热需求。
技术实现思路
针对以上现有技术存在的缺陷,本技术的主要目的在于克服现有技术的不足之处,公开了一种晶圆高温测试载台,包括加热载台、晶圆载板、进气接口和出气接口,所述加热载台上表面凹设安装位,并且在所述加热载台内部设置加热腔,所述进气接口和所述出气接口设置在加热载台上,并且与所述加热腔连接,利用所述进气接口将所述热压缩气体注入所述加热腔内,并从出气接口排出,所述晶圆载台设置在所述安装位上。进一步地,所述加热腔呈圆柱体形结构。进一步地,所述安装位呈正方形,并且在所述安装位中心位置设置与所述加热腔连通的通孔,所述通孔的直径大于晶圆的直径。进一步地,所述晶圆载板通过压块和 ...
【技术保护点】
1.一种晶圆高温测试载台,其特征在于,包括加热载台、晶圆载板、进气接口和出气接口,所述加热载台上表面凹设安装位,并且在所述加热载台内部设置加热腔,所述进气接口和所述出气接口设置在加热载台上,并且与所述加热腔连接,利用所述进气接口将热压缩气体注入所述加热腔内,并从出气接口排出,所述晶圆载台设置在所述安装位上。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶圆高温测试载台,其特征在于,包括加热载台、晶圆载板、进气接口和出气接口,所述加热载台上表面凹设安装位,并且在所述加热载台内部设置加热腔,所述进气接口和所述出气接口设置在加热载台上,并且与所述加热腔连接,利用所述进气接口将热压缩气体注入所述加热腔内,并从出气接口排出,所述晶圆载台设置在所述安装位上。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆高温测试载台,其特征在于,所述加热腔呈圆柱体形结构。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆高温测试载台,其特征在于,所述安装位呈正方形,并且在所述安装位中心位置设置与所述加热腔连通的通孔,所述通孔的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张俊堂,李海峰,魏菊,方正,嵇杰,
申请(专利权)人:太仓思比科微电子技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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