无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法技术

一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤２：将步骤１所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤３：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及稀磁半导体铁磁转变温度的测量方法，特别涉及。
技术介绍
现代信息技术利用半导体中电子电荷自由度加工信息，利用磁性材料中电子自旋自由度存储信息，二者是分开进行的。半导体自旋电子学则试图操作半导体中电子自旋自由度或者同时操作半导体中电子自旋和电子电荷两个自由度来实现信息处理和存储，从而提升现有器件的功能和开拓新一代的自旋量子器件。如果这一目标能够实现，将对未来的信息技术产生革命性的影响，带来巨大的经济效益。半导体中电子自旋自由度的操作可以通过稀磁半导体材料来实现，而铁磁转变温度是衡量稀磁半导体能否投入实际应用的一个重要性能参数。稀磁半导体的实际应用要求其铁磁转变温度必须达到室温(300K)以上。稀磁半导体镓锰砷(Ga，Mn)As同时具有半导体材料和铁磁材料的性能，并且很容易与III-V族非磁性半导体GaAs和AlGaAs等形成异质结构，近年来引起了人们极大的研究热情。但是到目前为止(Ga，Mn)As的铁磁转变温度不超过110K，严重地限制了其应用。最近人们发现生长后热处理可以提高(Ga，Mn)As的铁磁转变温度，迄今(Ga，Mn)As的铁磁转变温度已经被提高到170K。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过测量输运性质确定稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：将镓锰砷样品刻蚀成霍尔元件形状，采用铟压焊技术制作电极，该电极与恒流源和电压表连接；步骤２：将步骤１所述的霍尔元件放入闭循环制冷系统中；步骤３：测量霍尔元件切向电阻与温度的关系曲线，确定镓锰砷导电特征从绝缘性转变到金属性的相变温度，从而确定镓锰砷薄膜的铁磁转变温度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵建华，蒋春萍，郑厚植，邓加军，杨富华，牛智川，吴晓光，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]