【技术实现步骤摘要】
一种双面覆铜热沉结构
本技术属于芯片散热装置
,具体涉及一种双面覆铜热沉结构。
技术介绍
激光器功率芯片,由于功率芯片功率较高(10w以上),尺寸较大(典型尺寸1*4mm),工作时会产生大量的热,使基板温度升高,温度升高和降低,会造成热应力,如果热量不能及时散掉,会使芯片温度持续升高,造成芯片早期失效;如果芯片和热沉之间的热膨胀系数差别较大,引入的热应力,造成芯片开裂或激光光束变形,因此,作为功率期间的热沉,要具备良好散热能力的同时,还要有和芯片接近的热膨胀系数。传统的热沉虽然具备良好的散热能力,但是其热膨胀系数却达不到要求。
技术实现思路
为解决上述问题,本技术提供了一种双面覆铜热沉结构,包括氮化铝层,其中,所述氮化铝层的两侧分别设置第一铜层和第二同层,所述第一铜层的厚度为35-95μm,所述氮化铝层的厚度为:300-360μm,所述第二铜层的厚度为35-95μm。优选的是,所述第二铜层为凸形结构。在上述任一方案中优选的是,所述第二铜层包括左铜层和右铜层,所述左铜层与右铜层之间留有间隙。本技术的有益效果为:本技术提供的一种双面覆铜热沉结构通过在氮化铝层不仅散热效果良好,而且其膨胀系数与激光器功率芯片的膨胀系数相近,由此能够对芯片进行有效保护。附图说明图1为按照本技术的一种双面覆铜热沉结构的一优选实施例示意图;图2为按照本技术的一种双面覆铜热沉结构的图1实施例的左视图;图3为按照本技术的一种双面覆铜热沉结构的图1实施例的右视 ...
【技术保护点】
1.一种双面覆铜热沉结构,包括氮化铝层,其特征在于,所述氮化铝层的两侧分别设置第一铜层和第二铜层,所述第一铜层的厚度为35-95μm,所述氮化铝层的厚度为:300-360μm,所述第二铜层的厚度为35-95μm。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种双面覆铜热沉结构,包括氮化铝层,其特征在于,所述氮化铝层的两侧分别设置第一铜层和第二铜层,所述第一铜层的厚度为35-95μm,所述氮化铝层的厚度为:300-360μm,所述第二铜层的厚度为35-95μm。
技术研发人员:韩建栋,智云涛,表军,
申请(专利权)人:石家庄海科电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:河北;13
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