一种功率半导体模块用电极结构制造技术

技术编号:25852287 阅读:47 留言:0更新日期:2020-10-02 14:33
本实用新型专利技术公开了一种功率半导体模块用电极结构,所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区,所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽,来防止折弯过程中裂纹的产生,起到应力缓解的作用;从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀,造成电极电阻增加,损耗加大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体模块用电极结构
本技术涉及半导体
,尤其是涉及一种功率半导体模块用电极结构。
技术介绍
功率半导体模块通常被应用于电力电子变换装置当中,比如电机驱动装置等。一般功率模块在封装过程当中,电极同模块内部连接,同时电极也会引出同外部进行连接。一般情况下,功率模块的电极在封装的最后是需要进行折弯的。现有功率模块电极直接进行折弯,电极的折弯处与整个电极是一个整体平面;折弯后可能会出现在折弯处电极表面出现裂纹,镀层损伤的情况,这样会造成产品在实际使用过程当中,镀层损伤处会容易被腐蚀,造成电极电阻增加,损耗加大。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本技术的总体
技术介绍
的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种功率半导体模块用电极结构,以解决现有技术中存在的技术问题。为了实现上述目的,本技术采用以下技术方案:本技术提供一种功率半导体模块用电极结构,所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区,所述凹槽区由点阵排列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块用电极结构,其特征在于,所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区,所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体模块用电极结构,其特征在于,所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区,所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块用电...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪思忠胡羽中
申请(专利权)人:华芯威半导体科技北京有限责任公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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