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本实用新型公开了一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被...
该专利属于华芯威半导体科技(北京)有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过华芯威半导体科技(北京)有限责任公司授权不得商用。

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