半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成图形化的光阻层之前，还在电极材料层上形成掩模材料层，并且在对掩模材料层执行图形化工艺时，仅将光阻层中的电极图形复制至掩模材料层的上部分中，从而在去除光阻层的过程中，可避免用于去除光阻层的剥离液侵蚀电极材料层。以及，在图形化的掩模层的掩模下，结合裁剪工艺进一步图形化电极材料层，以构成电极层，进而可以更为精确的控制电极材料层的消耗量，有利于保障所形成的电极层的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
在制备半导体器件的电极层的过程中，通常会利用剥离工艺(Lift-off)或刻蚀工艺(Etch)。其中，在利用剥离工艺制备半导体器件中的电极层的方法，例如参考图1a～图1c所示，具体可包括如下步骤。第一步骤，具体参考图1a所示，提供一衬底10，并在所述衬底10上形成光阻层20，所述光阻层20中还形成有开口，以暴露出其下方的膜层。第二步骤，具体参考图1b所示，形成电极材料层30，所述电极材料层30具有覆盖所述光阻层20顶表面的第二部分32，以及还具有位于所述开口中的第一部分31。第三步骤，具体参考图1c所示，去除所述光阻层20，以去除所述电极材料层30中覆盖所述光阻层的第二部分，并保留所述电极材料层的第一部分，以构成电极层30a。以及，在利用刻蚀工艺制备半导体器件中的电极层的方法，例如参考图2a～图2c所示，具体可包括如下步骤。第一步骤，具体参考图2a所示，提供一衬底10，并在所述衬底10上形成电极材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，并在所述衬底上依次形成电极材料层和掩模材料层；/n在所述掩模材料层上形成图形化的光阻层，其中覆盖有所述光阻层的区域构成第一区域，以及未覆盖有所述光阻层的区域构成第二区域；/n以所述图形化的光阻层为掩模刻蚀所述掩模材料层位于所述第二区域中的部分，以使位于所述第二区域中的掩模材料层的顶表面位置降低至预定高度位置，所述预定高度位置高于所述掩模材料层的底表面位置；/n去除所述光阻层，以暴露出所述掩模材料层位于所述第一区域中的部分；以及，/n回刻蚀所述掩模材料层，直至从所述第二区域中暴露出所述电极材料层，并使所述第一区域中仍剩余有掩模材料层...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，并在所述衬底上依次形成电极材料层和掩模材料层；
在所述掩模材料层上形成图形化的光阻层，其中覆盖有所述光阻层的区域构成第一区域，以及未覆盖有所述光阻层的区域构成第二区域；
以所述图形化的光阻层为掩模刻蚀所述掩模材料层位于所述第二区域中的部分，以使位于所述第二区域中的掩模材料层的顶表面位置降低至预定高度位置，所述预定高度位置高于所述掩模材料层的底表面位置；
去除所述光阻层，以暴露出所述掩模材料层位于所述第一区域中的部分；以及，
回刻蚀所述掩模材料层，直至从所述第二区域中暴露出所述电极材料层，并使所述第一区域中仍剩余有掩模材料层，剩余的掩模材料层构成图形化的掩模层；以及，
以所述图形化的掩模层为掩模至少部分去除所述第二区域中的电极材料层，并利用剩余的电极材料层构成电极层。


2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，至少部分去除所述第二区域中的电极材料层的方法包括：
执行裁剪工艺，所述裁剪工艺包括利用轰击气体轰击所述第二区域中的电极材料层。


3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆苑龙，项少华，王冲，王大甲，魏有晨，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33