半导体器件及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其形成方法。在形成钝化层之前，在上电极层的第一端部上形成牺牲部，以用于支撑钝化层的端部，使得钝化层不存在悬空遮盖的部分，从而在形成接触垫时，即不会出现钝化层的悬空部被破坏的问题。以及，在形成接触垫之后，通过去除牺牲部，即可释放出钝化层其端部下方的空间，进而形成钝化层的悬空部，以保障所形成的半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件及其形成方法。
技术介绍
利用压电材料的逆压电效应制成的半导体器件，是晶体振荡器和滤波器的关键元件，其常常被应用于体声波滤波器中。图1a～图1b为一种半导体器件在其制备过程中的结构示意图，如图1a～图1b所示，所述半导体器件的形成方法可包括如下步骤。步骤一，具体参考图1a所示，提供一衬底10，所述衬底10上依次形成有下电极层21和压电材料层30。以及，在所述下电极层21和所述压电材料层30上还形成有上电极材料层40a和图形化的钝化层50。步骤二，具体参考图1b所示，采用刻蚀工艺刻蚀所述上电极材料层40a，以形成上电极层40。具体的，在刻蚀所述上电极材料层40a时，刻蚀工艺的刻蚀剂还会进一步侧向侵蚀所述上电极材料层40a中位于所述钝化层50正下方的部分，以使所形成的上电极层40其端部相对于所述钝化层50的端部内缩。此时，即相应的使所述钝化层50的端部相对于所述上电极层40延伸出，以至少部分构成悬空部51，所述悬空部51悬空遮盖在所述压电材料层30的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供一衬底，所述衬底上形成有下电极层和引出电极，以及在所述下电极层和所述引出电极上还形成有压电材料层；/n在所述压电材料层上形成上电极层和牺牲部，所述牺牲部的侧壁紧邻所述上电极层的第一端部的侧壁；/n形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上电极层和所述牺牲部的顶表面，并且所述牺牲部的至少一侧壁暴露出；/n刻蚀所述压电材料层以形成接触窗，所述接触窗暴露出所述引出电极，并在所述引出电极上形成接触垫，所述接触垫与所述引出电极电性连接并用于电性引出所述上电极层或所述下电极层；以及，/n去除所述牺牲部，以释放出一空隙在所述钝化层的下方，所述钝化层中悬空遮盖所述...

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有下电极层和引出电极，以及在所述下电极层和所述引出电极上还形成有压电材料层；
在所述压电材料层上形成上电极层和牺牲部，所述牺牲部的侧壁紧邻所述上电极层的第一端部的侧壁；
形成钝化层，所述钝化层覆盖所述上电极层和所述牺牲部的顶表面，并且所述牺牲部的至少一侧壁暴露出；
刻蚀所述压电材料层以形成接触窗，所述接触窗暴露出所述引出电极，并在所述引出电极上形成接触垫，所述接触垫与所述引出电极电性连接并用于电性引出所述上电极层或所述下电极层；以及，
去除所述牺牲部，以释放出一空隙在所述钝化层的下方，所述钝化层中悬空遮盖所述空隙的部分构成悬空部。


2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述上电极层之后形成所述牺牲部，所述牺牲部的形成方法包括：
形成牺牲材料层；以及，
部分去除所述牺牲材料层，保留所述上电极层的第一端部侧壁的牺牲材料层，以构成所述牺牲部。


3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲部中覆盖在所述钝化层正下方的部分的宽度尺寸介于0.7μm～3μm。


4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲部的方法包括：利用湿法刻蚀工艺侵蚀所述牺牲部。


5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述钝化层完全覆盖所述牺牲部的顶表面，并且所述钝化层的侧壁与所述牺牲部的侧壁齐平；或者，所述钝化层部分覆盖所述牺牲部的顶表面，并且所述牺牲部的侧壁边界超出所述钝化层的侧壁边界。


6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述引出电极用于电性引出所述上电极层，以及在形成所述钝化层之后，所述上电极层靠近所述引出电极的第二端部暴露出，并利用导电材料电性连接所述第二端部和所述引出电极。


7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述接触垫的形成方法包括；
形成光阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：王勇涛，王冲，蔡敏豪，项少华，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33