高聚物缓冲层铜同轴TGV、转接板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱、环形的内缓冲层、环形的铜层以及环形的外缓冲层，所述铜柱、内缓冲层、铜层以及外缓冲层从内至外依次设置，所述外缓冲层以及所述内缓冲层为高聚物苯并环丁烯层。还提供了具有该同轴TGV的转接板和转接板制造方法。高聚物缓冲层尺寸灵活可变，便于根据匹配原则设计出不同尺寸的同轴TGV结构。详细给出了高聚物缓冲层铜同轴TGV结构制备方案，该方案采用高聚物填充环形槽的方式实现缓冲层制备。工艺实现方案保证阻抗匹配设计的同时使整体结构尺寸小，并提高了封装的热稳定性，有利于未来高密度三维集成。

【技术实现步骤摘要】
高聚物缓冲层铜同轴TGV、转接板及其制备方法
本专利技术涉及三维集成封装转接板制造
，尤其是一种高聚物缓冲层铜同轴TGV、转接板及其制备方法。
技术介绍
3D封装是目前工业界最成熟的集成类别，主要通过封装将裸芯片或单独封装好的芯片堆叠在一起，目前包括许多不同的技术，其中大部分是现有单芯片封装技术往三维方向的扩展。转接板(Interposer)，也被称为插入层或中间层，是一种新型的电子基板，能够实现顶部管芯级的细间距I/O与底部封装级较大尺寸大间距I/O之间的互连。转接板上设置了许多的玻璃通孔(Through-Glass-Via，TGV)，玻璃通孔(TGV)穿过衬底延伸互连，实现垂直集成的同时缩短了互连长度，从而减小尺寸，重量和功耗，是目前2.5D/3D集成技术的基础和核心。为了满足三维集成技术在微波等高频领域的应用，需要TGV结构具备尽可能低损耗的传输高频信号能力。然而传统TGV结构中，铜与玻璃的热膨胀系数相差较大会，造成可能存在的裂纹，影响转接板稳定性，影响了高频系统的性能。同轴TGV结构能够有效的利用外圈导体的缓冲和屏蔽作用，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱(1)、环形的内缓冲层(2)、环形的铜层(3)以及环形的外缓冲层(4)，所述铜柱(1)、内缓冲层(2)、铜层(3)以及外缓冲层(4)从内至外依次设置，其特征在于，所述外缓冲层(4)为二氧化硅层，所述内缓冲层(2)为高聚物苯并环丁烯层。/n

【技术特征摘要】
1.高聚物缓冲层铜同轴TGV，包括依次设置的铜柱(1)、环形的内缓冲层(2)、环形的铜层(3)以及环形的外缓冲层(4)，所述铜柱(1)、内缓冲层(2)、铜层(3)以及外缓冲层(4)从内至外依次设置，其特征在于，所述外缓冲层(4)为二氧化硅层，所述内缓冲层(2)为高聚物苯并环丁烯层。


2.转接板，包括衬底(5)，其特征在于：所述衬底(5)上具有多个如权利要求1所述的高聚物缓冲层铜同轴TGV，所述TGV的铜柱(1)的一端与相邻的TGV的铜柱(1)相连，铜柱(1)的另一端与另一相邻的TGV的铜柱(1)相连。


3.如权利要求2所示的转接板，其特征在于：相邻两铜柱(1)之间通过铜线(6)相连，所述衬底(5)正面的铜线埋设在第一光敏胶(8)中，所述衬底(5)背面的铜线(6)与衬底(5)之间设置有第二光敏胶(7)。


4.权利要求2或3所述转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a、在衬底(5)的正面加工多个环形槽，环形槽的深度小于衬底(5)的厚度；
b、在环形槽的内壁沉积外高聚物苯并环丁烯层作为外缓冲层(4)，在外缓冲层(4)上沉积铜层(3)；
c、在环形槽内填充高聚物苯并环丁烯，形成内缓冲层(2)；
d、在衬底(5)的正面涂覆光敏胶，通过图形曝光露出环形槽中心的硅柱表面，在光敏胶表面沉积铜，然后在铜上涂覆光刻胶进行光刻图形化，去除多余的铜，在相邻两硅柱之间形成正面铜线(6)；
e、将衬底(5)的背面减薄，直到暴露出环形槽底部的外缓冲层(4)；
f、在衬底(5)的背面涂覆光刻胶，刻蚀环形槽中心的硅柱形成盲孔，将盲孔侧壁的外缓冲层(4)去除；
g、在衬底(5)的背面以及盲孔侧壁沉积铜，作为电镀的种子层，通过电镀的方式在盲孔内生成铜柱(1)；
h、去除衬底(5)背面多余的铜和光刻胶，暴露出内缓冲层(2)和铜柱(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈雨哲，张继华，陈宏伟，高莉彬，方针，曲胜，邹思月，王文君，蔡星周，穆俊宏，
申请(专利权)人：电子科技大学，成都迈科科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51