一种高热导率的LTCC基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种高热导率的LTCC基板及其制作方法，该基板在IC芯片的下方设置了密封盖板，密封盖板的下部设置有柱状群体，整个密封盖板为高热导率材料，使得芯片的热量通过密封盖板传递至通道中的冷却液中，该结构实现了热源热量快速、有效的传递到流体的传热路径，还实现了基板流体通道与外部流体的循环互联，极大地提高了LTCC基板的散热性能，为大功率SiP电路、射频微波模块电路提供一种主动散热的方法，具有重要的社会效益和经济价值。

【技术实现步骤摘要】
一种高热导率的LTCC基板及其制作方法
本专利技术属于半导体混合集成电路领域，具体涉及一种高热导率的LTCC基板及其制作方法。
技术介绍
随着电子技术的发展，电子器件面临高密度集成、高功率的发展要求，而LTCC基板虽然具有高密度集成的特点，但是其散热功率较低，不能满足发展需求，而在LTCC基板内制作流体通道，利用导热流体提高基板导热效率，是实现高密度、高导热LTCC基板的重要路径之一。通常情况下，LTCC陶瓷基板的热导率在2～3W/m-k，很难满足高功率电路的散热要求，尤其是高度集成的SiP产品及LTCC射频/微波电路，其对电路本身散热要求极高，甚至有的要求热导率达到100W/m-k以上，因此，LTCC基板不能满足使用要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种高热导率的LTCC基板及其制作方法；以解决现有的LTCC基板无法满足电路散热要求的技术问题。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案予以实现：一种高热导率的LTCC基板，包括一体连接的下底板和上盖板，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，包括一体连接的下底板(1)和上盖板(2)，下底板(1)内开设有流体通道(12)，流体通道(12)内装载流动的冷却液；/n上盖板(2)上开设有若干个腔体(21)，腔体(21)的下端和流体通道(12)连通，每一个腔体(21)中焊接有一个密封盖板(3)，每一个密封盖板(3)上固定设置有一个IC芯片(5)；/n密封盖板(3)包括平板(31)，平板(31)架装在腔体(21)中，平板(31)的下部设置有向下凸出的柱状群体(32)，所述柱状群体(32)包括若干个导热柱(33)，导热柱(33)上端和平板(31)一体连接，导热柱(33)的下部浸润在冷却液中；/n密封盖...

【技术特征摘要】
1.一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，包括一体连接的下底板(1)和上盖板(2)，下底板(1)内开设有流体通道(12)，流体通道(12)内装载流动的冷却液；
上盖板(2)上开设有若干个腔体(21)，腔体(21)的下端和流体通道(12)连通，每一个腔体(21)中焊接有一个密封盖板(3)，每一个密封盖板(3)上固定设置有一个IC芯片(5)；
密封盖板(3)包括平板(31)，平板(31)架装在腔体(21)中，平板(31)的下部设置有向下凸出的柱状群体(32)，所述柱状群体(32)包括若干个导热柱(33)，导热柱(33)上端和平板(31)一体连接，导热柱(33)的下部浸润在冷却液中；
密封盖板(3)为高热导率材料，所述密封盖板(3)的导热率大于3W/m-k。


2.根据权利要求1所述的一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，所述密封盖板(3)的导热率大于100W/m-k。


3.根据权利要求1所述的一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，所述导热柱(33)在平板(31)的下部成矩形阵列结构。


4.根据权利要求1所述的一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，下底板(1)上开设有流体入口(10)和流体出口(11)，流体入口(10)和流体通道(12)的输入端连通，流体出口(11)和流体通道(12)的输出端连通；流体入口(10)和流体出口(11)中均插入有快插接口(13)。


5.根据权利要求4所述的一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，流体入口(10)的快插接口(13)连通有外部流道(9)的输出端，流体出口(11)的快插接口(13)连通至外部流道(9)的输入端；顺着流体的流动方向，外部流道(9)上设置有流体泵(8)和散热单元(7)。


6.根据权利要求1所述的一种高热导率的LTCC基板，其特征在于，所述高热导率材料包括金属、碳化硅、金刚石和石墨。


7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖刚，郝沄，杨宇军，袁海，陈宁，任英哲，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61