一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法制造方法及图纸

技术编号:25840471 阅读:31 留言:0更新日期:2020-10-02 14:20
本发明专利技术提供一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法,所述背板包括:衬底基板;位于衬底基板上的电极层,电极层包括多个电极对,每一电极对包括第一电极和第二电极;位于电极层上的平坦层;依次设置于平坦层上的第一介质层和第二介质层,第一介质层的位于第一电极和第二电极的正上方的区域形成有第一凹陷结构,第二介质层的位于第一凹陷结构的正上方的区域形成有第二凹陷结构,第一电极和第二电极分别与一所述第一凹陷结构连通。根据本发明专利技术实施例的背板,通过制备出上窄下宽的第一凹陷结构和第二凹陷结构,方便与电子元件之间进行键合,而且键合的牢固力高,导通性能好。

【技术实现步骤摘要】
一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法
本专利技术涉及显示
,具体涉及一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
技术介绍
目前,Mini-LED/Micro-LED显示由于其发光亮度高,对比度高,可高清显示等优点,逐渐被广泛应用。但是目前LED转移和Bonding(键合)工艺复杂,成本较高,无法基于背板直接与LED进行Bonding,需要通过丝网印刷的方式涂覆锡膏进行焊接,这不仅增加了键合的复杂程度,还需要额外的丝网印刷设备而导致成本增加,而且,最终键合的固定力不高,易发生晃动甚至掉落,导致产品显示效果不佳。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供一种背板及其制作方法、显示装置及其制作方法,能够解决现有技术中LED器件与背板之间键合难度大且过程复杂,键合效果不佳的问题。为解决上述技术问题,本专利技术采用以下技术方案:本专利技术一方面实施例提供一种背板,包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的电极层,所述电极层包括多个电极对,每一所述电极对包括第一电极和第二电极;<br>位于所述电极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背板,其特征在于,包括:/n衬底基板;/n位于所述衬底基板上的电极层,所述电极层包括多个电极对,每一所述电极对包括第一电极和第二电极;/n位于所述电极层上的平坦层,所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度大于所述平坦层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度;/n依次设置于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成有第一凹陷结构,所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成有第二凹陷结构,所述第一凹陷结构的深度小于等于所述第一介质层的厚度,所述第二凹陷结构的深度等于所述第二介质层的厚度,所述第一凹陷结构的平...

【技术特征摘要】
1.一种背板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的电极层,所述电极层包括多个电极对,每一所述电极对包括第一电极和第二电极;
位于所述电极层上的平坦层,所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度大于所述平坦层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度;
依次设置于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成有第一凹陷结构,所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成有第二凹陷结构,所述第一凹陷结构的深度小于等于所述第一介质层的厚度,所述第二凹陷结构的深度等于所述第二介质层的厚度,所述第一凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸大于所述第二凹陷结构的平行于所述衬底基板的横截面尺寸和所述第二凹陷结构,所述第一电极和所述第二电极分别与一所述第一凹陷结构连通。


2.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,相同刻蚀条件下,所述第一介质层的刻蚀速率比所述第二介质层的刻蚀速率至少快10倍。


3.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述第一介质层为氮化硅层,所述第二介质层为氧化硅层。


4.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,还包括:
设置与所述第二介质层上的绝缘挡墙,所述绝缘挡墙位于同一所述电极对上方的两个所述第二凹陷结构之间。


5.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述第一介质层的厚度为0.4~0.6μm,所述第二介质层的厚度为0.2~0.3μm。


6.一种背板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成电极层,所述电极层包括多个电极对,每一所述电极对包括第一电极和第二电极;
在所述电极层上形成平坦层,所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述衬底基板方向上的厚度大于平坦层在垂直于所述衬底基板方向上的厚度;
依次形成位于所述平坦层上的第一介质层和第二介质层,在所述第一介质层的位于所述第一电极和所述第二电极的正上方的区域形成第一凹陷结构,在所述第二介质层的位于所述第一凹陷结构的正上方的区域形成第二凹陷结构,所述第一凹陷结构的深度小于等于所述第一介质层的厚度,所述第二凹陷结构的深度等于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘松
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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