一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构技术

本发明专利技术公开了一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构，其中，硅转接板的制备方法包括提供半导体衬底，对该半导体衬底的背面进行减薄处理，在减薄后的半导体衬底设置TSV通孔。通过本发明专利技术在半导体衬底的背面先进行减薄处理之后再进行TSV通孔，解决了现有技术中由于TSV图形密度的差异导致TSV深度不同，背面所有TSV露头工艺与露头后的平坦化难度大、成本高的问题，从而实现了TSV刻蚀深度的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构。
技术介绍
以硅通孔(ThroughSiliconVia，简称为TSV)为核心的三维集成技术是半导体工业界近几年的研究热点，特别是2.5DTSV转接板技术的出现，与传统的2D封装相比，基于TSV转接板的2.5封装使多个芯片在转接板上直接实现互连，大大缩短了走线长度，降低了信号延迟与损耗，其相对带宽可达传统封装的8～50倍，为实现低成本小尺寸芯片系统封装替代高成本系统芯片(SoC)提供了解决方案。转接板作为中介层，实现芯片和芯片、芯片与基板之间的三维互连，降低了系统芯片制备成本和功耗。多个功能芯片通过TSV转接板形成互连的封装形式越来越受到世界各大半导体公司及科研院所的关注。现有技术中硅转接板的制备方法采用“TSV+Cu大马士革RDL”技术构架，使用Cu大马士革工艺做RDL，易于采用晶圆键合技术实现晶圆级3D集成。但是由于TSV图形密度的差异，带来背面TSV露头的平坦化工艺难度增加，如果采用介质回填平坦化，则需要采用增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅转接板的制备方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底；/n对所述半导体衬底的背面进行减薄处理；/n在减薄后的半导体衬底设置TSV通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅转接板的制备方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
对所述半导体衬底的背面进行减薄处理；
在减薄后的半导体衬底设置TSV通孔。


2.根据权利要求1所述的硅转接板的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底的背面进行减薄处理包括：
通过机械减薄机、机械化学抛光、干法刻蚀技术对所述半导体衬底的背面进行减薄处理。


3.根据权利要求2所述的硅转接板的制备方法，其特征在于，通过机械减薄机、机械化学抛光、干法刻蚀技术对所述半导体衬底的背面进行减薄处理包括：
通过机械减薄机减薄至预设值；其中，所述预设值比目标值大5～20μm；
通过机械化学抛光或干法刻蚀或两种技术的组合减薄5～20μm。


4.根据权利要求1所述的硅转接板的制备方法，其特征在于，对所述半导体衬底的背面进行减薄处理之前，所述制备方法还包括：
在所述半导体衬底的正面沉积第一停止层；所述第一停止层包括无机材料；
将第一载片与沉积第一停止层的半导体衬底的正面进行临时键合。


5.根据权利要求4所述的硅转接板的制备方法，其特征在于，
所述第一停止层包括SiO2、Si3N4中的一种或者两...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐昭焕，王学毅，吴罚，张海欧，邓晓国，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50