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本发明公开了一种硅转接板的制备方法及硅转接板的封装结构，其中，硅转接板的制备方法包括提供半导体衬底，对该半导体衬底的背面进行减薄处理，在减薄后的半导体衬底设置TSV通孔。通过本发明在半导体衬底的背面先进行减薄处理之后再进行TSV通孔，解决了...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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