【技术实现步骤摘要】
晶圆的键合方法及键合结构
本专利技术涉及微电子
，特别涉及一种晶圆的键合方法及键合结构。
技术介绍
晶圆键合技术是在预定条件下将两片晶圆紧密贴合，该技术在微电子制造领域中被广泛应用，例如，在微机电系统的加工工艺中，即可利用晶圆键合工艺实现微机械结构的加工。其中，键合工艺的品质将会直接影响到所形成的半导体器件的性能。具体的，相互键合的两个晶圆的键合面形态是影响晶圆键合工艺的品质的一个重要因素。图1为现有的一种晶圆键合过程中的结构示意图，如图1所示，提供待键合的第一晶圆10和第二晶圆20。一般而言，在键合晶圆之前通常会在所述第一晶圆10和/或所述第二晶圆20上执行相关的工艺，包括：在第一晶圆10中形成凹槽，并利用化学机械研磨工艺自对准的在凹槽中形成填充材料层，以及继续在第一晶圆10和/或所述第二晶圆20上形成薄膜层等。然而，在执行上述工艺时，尤其是在执行化学机械研磨工艺以在凹槽中形成填充材料层时，常常会引起晶圆形态的变化，例如会导致晶圆表面不平整、晶圆翘曲等问题。具体参考图1所示，在执行化学机械研磨工艺时，...
【技术保护点】
1.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括：/n提供第一晶圆，所述第一晶圆具有中间区域和边缘区域，所述边缘区域围绕在所述中间区域的外围；/n在所述第一晶圆的中间区域中形成凹槽，并沉积填充材料层，所述填充材料层填充所述凹槽并覆盖所述第一晶圆的顶表面；/n刻蚀所述填充材料层中位于所述边缘区域的部分直至暴露出所述第一晶圆的顶表面，并继续刻蚀所述第一晶圆以降低所述第一晶圆的边缘区域的顶表面，以使所述边缘区域的晶圆顶表面低于所述中间区域的晶圆顶表面；/n对所述填充材料层执行化学机械研磨工艺，并研磨停止于所述第一晶圆对应于所述中间区域的顶表面上，以保留填充在所述凹槽中的填充材料层；以及，...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的键合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆，所述第一晶圆具有中间区域和边缘区域，所述边缘区域围绕在所述中间区域的外围；
在所述第一晶圆的中间区域中形成凹槽，并沉积填充材料层，所述填充材料层填充所述凹槽并覆盖所述第一晶圆的顶表面；
刻蚀所述填充材料层中位于所述边缘区域的部分直至暴露出所述第一晶圆的顶表面，并继续刻蚀所述第一晶圆以降低所述第一晶圆的边缘区域的顶表面，以使所述边缘区域的晶圆顶表面低于所述中间区域的晶圆顶表面；
对所述填充材料层执行化学机械研磨工艺，并研磨停止于所述第一晶圆对应于所述中间区域的顶表面上，以保留填充在所述凹槽中的填充材料层；以及，
将所述第一晶圆与第二晶圆相互键合，以至少使所述第一晶圆的中间区域的顶表面键合在所述第二晶圆上。
2.如权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，刻蚀所述填充材料层中位于所述边缘区域的部分的方法包括：
在所述填充材料层上形成图形化的掩模层，所述掩模层覆盖所述中间区域并暴露出所述边缘区域；
以所述掩模层为掩模，刻蚀所述填充材料层的边缘区域的部分至所述第一晶圆。
3.如权利要求1所述的晶圆的键合方法，其特征在于，在对所述第一晶圆执行所述化学机械研磨工艺之后，还包括：在所述第一晶圆上形成至少一层薄膜层。
4.如权利要求3所述的晶圆的键合方法，其特征在于，在形成所述至少一层薄膜层之后，还包括：形成依...
【专利技术属性】
技术研发人员：穆苑龙，王冲，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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