薄膜气体传感器结构制造技术

一种用于感测气体流成分的气体传感器（１００），包括安装基底（１５０）、能够在第一浓度范围中感测成分的第一气体感测元件（１６０）、对成分不敏感并且与第一气体感测元件（１６０）一起具有一致的电学特性的参考元件（１７０）、基本围绕第一气体感测元件（１６０）和参考元件（１７０）的加热元件（１８０）、围绕第一气体感测元件（１６０）和参考元件（１７０）的温度感测元件（１９０）和能够感测第二浓度范围中的成分的第二气体感测元件（２１０）。第一气体感测元件（１６０）和参考元件（１７０）优选为金属门控的金属氧化物半导体（ＭＯＳ）固态装置。气体传感器（１００）特别设置成感测气体流中的氢气的浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于检测气体流中存在的成分的传感器。更加具体地，本专利技术涉及一种氢气气体传感器结构，所述结构具有第一和第二氢气感测元件、参考元件、加热元件和温度感测元件。
技术介绍
在气体传感器应用中，传感器元件在其下面的基底上的布置应展示一定的特性，以改善或优化其性能。特别地，希望按照规律排列和集成传感器的感测和操作元件，以使部件保持在基本相同的温度。在实际中，应排列传感器元件，以最小化元件占据的基底面积，由此减小或最小化传感器元件之间的热对流和传导损失。其次，最小化占据的基底面积还可减小制造传感器所需要的基底材料的数量，因而降低制造成本。传统的现有技术解决方案，例如Sandia National Laboratories开发的那些传感器(见R.Thomas and R.Hughes，“Sensor for Detecting Molecular HydrogenBased on PD Metal Alloys”，J.Electrochem.Soc.，144卷，9号，1997年9月，和专利号为5279795的美国专利)，涉及传感器的感测和操作元件的交错。这些传统的解决方案应用了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于感测气体流成分的气体传感器，所述气体传感器包括：　　　　（ａ）热传导、电绝缘的基底；　　　　（ｂ）安装在所述基底上的第一气体感测元件，所述第一气体感测元件能够感测第一浓度范围内的所述成分；　　　　（ｃ）安装在所述基底上的参考元件，所述参考元件和所述第一气体感测元件具有一致的电学特性，所述参考元件对所述成分不敏感；　　　　（ｄ）安装在所述基底上的加热元件，所述加热元件基本围绕所述第一气体感测元件和所述参考元件；　　　　（ｅ）安装在所述基底上的温度感测元件，所述温度感测元件基本围绕所述第一气体感测元件和所述参考元件；　　　　（ｆ）安装在所述基底上的第二气体感测元件，能够感测第二浓度范围中的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗伯特彭德格拉斯，
申请(专利权)人：H二SCAN公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]