【技术实现步骤摘要】
一种阻隔光阻放气污染的装置
本专利技术涉及集成电路及光刻
，特别是涉及一种能够阻隔光阻放气污染的装置。
技术介绍
请参考图1，图1是一种光刻真空腔室结构示意图。如图1所示，在例如13.5nm极紫外光刻中，晶圆13放置在下方真空腔室10内的晶圆平台12上进行光刻。光线通过透镜系统的镜头组，按照一定的传播方向投射到晶圆13上。透镜系统设于上方真空腔室11内。光刻中使用的极紫外光刻胶(光阻)，在曝光过程中会产生大量的酸性气体14(放气)，并排放到真空腔室10、11中。酸性气体14会污染镜头，尤其是污染靠近晶圆13的镜头。当前，解决酸性气体14污染的方案之一，是在靠近晶圆13的镜头与晶圆13之间增加一张薄膜——动态气体锁15，以尽可能阻挡晶圆13上光刻胶产生的酸性气体14扩散到透镜系统一侧，如图1-图2所示。然而，随着曝光时间的增长，动态气体锁15上也会因为酸性气体14长期累积而出现脏污。如果不及时更换动态气体锁15，会影响曝光光线的强度，从而影响曝光的结果。但是，常用的更换动态气体锁薄膜的方法...
【技术保护点】
1.一种阻隔光阻放气污染的装置，其特征在于，包括：/n一气体挡板，设于真空腔室内，并位于动态气体锁和晶圆之间，所述气体挡板上设有透光缝隙，所述透光缝隙的大小至少保证穿过所述动态气体锁的光线全部得到通过，并投射到涂覆光阻的所述晶圆的扫描区域上形成像场；/n其中，利用所述扫描区域在所述透光缝隙下方的不断变换，及所述光阻因曝光产生酸性气体相对于所述扫描区域变换的延时效应，使前一所述扫描区域在其上所述光阻产生酸性气体时，已位于所述透光缝隙以外的所述气体挡板下方，从而对其产生的酸性气体进行阻隔和吸附。/n
【技术特征摘要】
1.一种阻隔光阻放气污染的装置，其特征在于，包括：
一气体挡板，设于真空腔室内，并位于动态气体锁和晶圆之间，所述气体挡板上设有透光缝隙，所述透光缝隙的大小至少保证穿过所述动态气体锁的光线全部得到通过，并投射到涂覆光阻的所述晶圆的扫描区域上形成像场；
其中，利用所述扫描区域在所述透光缝隙下方的不断变换，及所述光阻因曝光产生酸性气体相对于所述扫描区域变换的延时效应，使前一所述扫描区域在其上所述光阻产生酸性气体时，已位于所述透光缝隙以外的所述气体挡板下方，从而对其产生的酸性气体进行阻隔和吸附。
2.根据权利要求1所述的阻隔光阻放气污染的装置，其特征在于，所述气体挡板以水平转动方式设于所述真空腔室内，所述透光缝隙通过所述气体挡板的转动，位于所述动态气体锁的下方，并位于所述晶圆的扫描路径上。
3.根据权利要求2所述的阻隔光阻放气污染的装置，其特征在于，所述气体挡板水平设置，并通过一转轴转动连接所述真空腔室的内壁，所述转轴偏置于所述动态气体锁的一侧。
4.根据权利要求2所述的阻隔光阻放气污...
【专利技术属性】
技术研发人员：李艳丽，伍强，顾峥，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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