晶圆减薄方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆减薄方法，包括：提供封帽晶圆；于封帽晶圆的表面形成停止层；于停止层远离封帽晶圆的表面形成外延层；提供器件晶圆，器件晶圆的正面形成有器件；将器件晶圆键合于外延层的表面，其中，器件晶圆的正面及外延层远离停止层的表面为键合面；去除封帽晶圆直至露出停止层；去除停止层。在封帽晶圆上形成停止层，在对晶圆进行减薄时可以减薄至停止层后自动停止，在精确控制减薄厚度的同时不会对不需要进行去除的外延层造成损伤，故不需要高精度的测量仪器检测减薄的厚度，从而可以实现非常高精度的减薄厚度控制。

【技术实现步骤摘要】
晶圆减薄方法
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种晶圆减薄方法。
技术介绍
MEMS制造工艺（MicrofabricationProcess）与键合（Bond）工艺相结合形成空腔结构后，需要对所得结构进行减薄处理。而目前传统的研磨（Grind）设备值配备NCG（NanochannelGlass，纳米通道玻璃）红外检测功能，当对减薄处理的厚度有较高的精度要求时，NCG红外检测会受到空腔结构的干扰，从而造成其无法正常工作。若是使用接触式的IPG模式测量，其测量精度有无法满足MEMS半导体工艺的精度需求，无法在减薄处理过程中实现较高精度的厚度控制。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种晶圆减薄方法。其具有厚度控制精度高的优点。一种晶圆减薄方法，包括：提供封帽晶圆；于所述封帽晶圆的表面形成停止层；于所述停止层远离所述封帽晶圆的表面形成外延层；提供器件晶圆，所述器件晶圆的正面形成有器件；将所述器件晶圆键合于所述外延层的表面，其中，所述器件晶圆的正面及所述外延层远离所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：/n提供封帽晶圆；/n于所述封帽晶圆的表面形成停止层；/n于所述停止层远离所述封帽晶圆的表面形成外延层；/n提供器件晶圆，所述器件晶圆的正面形成有器件；/n将所述器件晶圆键合于所述外延层的表面，其中，所述器件晶圆的正面及所述外延层远离所述停止层的表面为键合面；/n去除所述封帽晶圆直至露出所述停止层；/n去除所述停止层。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：
提供封帽晶圆；
于所述封帽晶圆的表面形成停止层；
于所述停止层远离所述封帽晶圆的表面形成外延层；
提供器件晶圆，所述器件晶圆的正面形成有器件；
将所述器件晶圆键合于所述外延层的表面，其中，所述器件晶圆的正面及所述外延层远离所述停止层的表面为键合面；
去除所述封帽晶圆直至露出所述停止层；
去除所述停止层。


2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述停止层的密度与所述封帽晶圆的密度不同，和/或所述停止层的硬度与所述封帽晶圆的硬度不同。


3.根据权利要求2所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述停止层的密度大于所述封帽晶圆的密度，和/或所述停止层的硬度大于所述封帽晶圆的硬度。


4.根据权利要求2所述的晶圆减薄方法，其特征在于，采用研磨工艺去除所述封帽晶圆。


5.根据权利要求4所述的晶圆减薄方法，其特征在于，露出所述停止层之后且去除所述停止层之前，还包括：
采用研磨工艺对所述停止层进行过研磨，以去除追加研磨厚度的所述停止层，所述追加研磨厚度小于所述停止层的厚度。

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【专利技术属性】
技术研发人员：陈志刚，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33