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本发明涉及一种晶圆减薄方法,包括:提供封帽晶圆;于封帽晶圆的表面形成停止层;于停止层远离封帽晶圆的表面形成外延层;提供器件晶圆,器件晶圆的正面形成有器件;将器件晶圆键合于外延层的表面,其中,器件晶圆的正面及外延层远离停止层的表面为键合面;去...该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种晶圆减薄方法,包括:提供封帽晶圆;于封帽晶圆的表面形成停止层;于停止层远离封帽晶圆的表面形成外延层;提供器件晶圆,器件晶圆的正面形成有器件;将器件晶圆键合于外延层的表面,其中,器件晶圆的正面及外延层远离停止层的表面为键合面;去...