荧光X射线分析装置和其所采用的程序制造方法及图纸

一种荧光Ｘ射线分析装置等，其通过ＦＰ法对试样的组分、面积密度进行分析，针对各种试样，可按照简便、并且将几何效果充分符合现实而添加的方式计算理论强度，足够正确地进行定量分析。包括计算机构（１０），该计算机构（１０）根据假定的组分，计算从试样（１３）的各元素产生的二次Ｘ射线（６）的理论强度，按照该理论强度与通过上述检测机构（９）测定的测定强度换算为理论强度值的换算测定强度一致的方式，逐次近似地修正计算假定的组分，计算试样（１３）的组分，上述计算机构（１０）每当计算理论强度时，将试样（１３）的大小与照射到试样表面（１３ａ）的各位置的一次Ｘ射线（２）的强度和入射角φ作为参数，针对各光路模拟计算二次Ｘ射线（６）的理论强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是涉及通过FP法对试样的组分、面积密度进行分析的 荧光X射线分析装置和其所采用的程序。
技术介绍
在过去，包括采用基本参数法(在下面称为FP法)分析试样的 组分、面积密度的荧光X射线分析装置。在FP法中，根据假定的 组分，即元素的浓度，计算从试样中的各元素产生的二次X射线 的理论强度，按照该理论强度与通过检测机构测定的测定强度换 算为理论强度值的换算测定强度 一 致的方式，逐次近似地修正计 算上述假定的元素的浓度，计算试样的元素的浓度，即组分。在 这里，每当计算上述理论强度时，采用对无限大的试样均匀地照 射平行的一次X射线，观测由该一部分产生的二次X射线的计算 模型。但是，由于实际上，用于试样的尺寸与一次X射线的照射区 域均是有限的，故一次X射线的入射角也伴随入射位置而不同， 故从试样实际上产生的二次X射线的强度不与通过上述计算模型 所产生的二次X射线的强度完全一致。将其称为几何效果，但是， 如果不按照充分符合现实而添加几何效果的方式计算理论强度， 则作为分析结果的试样的组分也不是十分正确的。于是，Omega Data system 乂>司发表了專欠^牛"UniQuant", 以i"更按 照包括添加几何效果的方式计算理论强度。在该软件中，预先系 统性地改变试样的厚度，求出深度方向的灵敏度曲线，采用该灵 敏度曲线，计算理论强度。但是，由于深度方向的灵敏度曲线伴随分析对象的二次X射 线和试样的组分而变化，故为了将该已有技术适合地应用于多种 试样，必须预先求出多条灵敏度曲线，这是不现实的。
技术实现思路
本专利技术是针对上述问题而解决的，本专利技术的目的在于针对通过FP法分析试样的组分、面积密度的焚光X射线分析装置和其所采用的程序，提供针对各种试样，可按照简便并且将几何效果充 分符合现实而添加的方式计算理论强度，足够正确地进行定量分 析的方案。为了实现上述目的，本专利技术的第1方案涉及一种荧光x射线 分析装置，其包括对试样照射一次X射线的X射线源；检测机构， 该检测机构测定从该试样产生的二次X射线的强度；计算机构， 该计算机构根据假定的组分，计算从试样中的各元素产生的二次X 射线的理论强度，按照该理论强度与通过上述检测机构测定的测 定强度换算为理论强度值的换算测定强度一致的方式，逐次近似 地修正计算上述假定的组分，计算试样的组分，上述计算机构每 当计算上述理论强度时，将试样的大小与照射到试样表面的各位 置的一次X射线的强度和入射角作为参数，针对各光路模拟计算 二次X射线的理论强度。按照上述第1方案的装置，由于每当计算理论强度时，将试 样的大小与照射到试样表面的各位置的一次X射线的强度和入射 角作为参数，针对各光路模拟计算二次X射线的理论强度，故不 必预先求出多条灵敏度曲线，针对各种试样，可按照简便并且将几何效果充分符合现实而添加的方式计算理论强度，足够正确地 进行定量分析。另外，计算试样的组分所需要的整体的计算时间 大于过去，但是，其在充分实用的范围内。在第1方案的装置中，最好，上述计算机构针对多个上述假 定的组分，同时计算上述理论强度。按照该优选的方案，全部的 计算时间缩短。另外，在第1方案的装置中，最好，上述计算机构采用预先 求出的试样表面的一次X射线的入射角分布或散射角分布。由于 对于试样表面的一次X射线的入射角分布、散射角分布，通常只 要不改变X射线源，其便不改变，故在该优选的方案中，将其预 先求出，用于理论强度的计算。按照该方式，由于理论强度的计 算时间缩短，故全体的计算时间也缩短。另外，由于试样表面的一次x射线的入射角分布、散射角分布不针对每个试样而改变，故不必像上述过去的技术的灵敏度曲线那样，事先求出多条。此外，在第1方案的装置中，最好，其包括设置刻度的试样 容器，该刻度用于测定试样表面的高度。由于照射到上述参数的 试样表面的各位置的一次x射线的强度和入射角伴随x射线源的 试样表面的高度而变化，故试样表面的高度必须已知。在该优选 的方案中，由于在试样容器中设置测定试样表面高度的刻度，故 容易测定、调整试样表面的高度。本专利技术的第2方案涉及一种程序，该程序为将上述第1方案 的装置所具有的计算机作为上述计算机构而发挥作用的程序。同 样通过本专利技术的第2方案的程序，也获得与上述第1方案的装置 相同的作用效果。附图说明通过参考了附图的以下的最佳实施例的说明，应该能更加清 楚地理解本专利技术。但是，实施例和附图只是单纯的图示和说明， 并不应用于限定本专利技术的范围。本专利技术的范围通过前面的权利要 求书确定。在附图中，多个附图中的同 一部件编号表示同 一部分。 图1为本专利技术的 一 个实施例的荧光X射线分析装置的外观图； 图2为表示该装置所具有的计算机构的计算整体的流程图； 图3为表示上述计算机构的理论强度的计算的流程图； 图4为表示该装置所具有的试样容器的立体图。具体实施方式下面根据附图，对本专利技术的一个实施例的荧光X射线分析装 置进行描述。像图l所示的那样，该装置包括放置试样13的试样 台8;对试样13照射一次X射线2的X射线管等的X射线源1; 检测机构'9,该检测机构9测定从试样13产生的荧光X射线、散 射线等的二次X射线4的强度。在X射线源1的前方设置孔11, 通过其开口，确定一次X射线2的扩大。另外，在试样表面13a 的正上方设置掩模12,通过其开口，确定试样表面13a的一次X 射线2的照射区域。检测机构9由分光元件5和4全测器7构成， 该分光元件5对从试样13产生的二次X射线4进行分光；该检测 器7针对每个经分光的二次X射线6测定其强度。另外，也可不 采用分光元件5,将能量分辨率高的检测器作为检测机构。另外，该装置包括计算机构10，该计算机构IO根据已假定的 组分，即元素的浓度，计算从试样13中的各元件产生的二次X射 线4的理论强度，按照该理论强度和通过检测机构9测定的测定 强度换算为理论强度值的换算测定强度 一致的方式，逐次近似地 修正而计算假定的元素的浓度，计算试样13的元素的浓度，即组算理论强度时，将试样13的大小以及照 射到试样表面13a的各位置的一次X射线2的强度和入射角(J)作 为参数，针对每个光路(2、 4、 6),对二次X射线6的理论强度进 行模拟计算。此外，本实施方式的计算机构10像日本特愿2004-251785号 申请中记载的专利技术那样，针对氧、碳等，未测定焚光X射线的元 素(因为强度小，由吸收产生的衰减也较大，故事实上无法测定荧 光X射线的元素，在下面称为非测定元素)，假定平均原子序数， 对应的二次X射线采用散射线4,按照理论强度和换算测定强度 一致的方式，逐次近似地修正而计算假定的平均原子序数。上述散射线的理论强度和测定强度可采用由一次X射线的连 续X射线的散射线的理论强度和测定强度，康普顿(3乂7。卜/) 散射线的理论强度和测定强度，汤姆逊(卜厶乂 V)散射线的理论强 度和测定强度以及这些散射线中的任意2个散射线的理论强度比 和测定强度比形成的 一 组中选择的1个。本装置像下述这样动作。对放置于试样台8上的试样13,从 X射线源1照射一次X射线2，使已发生的二次X射线4射入分 光元件5，针对每个经分光的二次X射线6,通过检测器7测定其 强度。另外，计算机构IO按照图2所示的流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光Ｘ射线分析装置，其包括：　　　　对试样照射一次Ｘ射线的Ｘ射线源；　　　　检测机构，该检测机构测定从该试样产生的二次Ｘ射线的强度；　　　　计算机构，该计算机构根据假定的组分，计算从试样中的各元素产生的二次Ｘ射线的理论强度，按照该理论强度与通过上述检测机构测定的测定强度换算为理论强度值的换算测定强度一致的方式，逐次近似地修正计算上述假定的组分，计算试样的组分；　　　　上述计算机构每当计算上述理论强度时，将试样的大小与照射到试样表面的各位置的一次Ｘ射线的强度和入射角作为参数，针对各光路模拟计算二次Ｘ射线的理论强度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：河原直树，原真也，
申请(专利权)人：理学电机工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]