聚合物介电特性的特征化技术制造技术

公开了一种用于在施加的ＤＣ电场下、在宽频率和温度范围的聚合物特征化的测试结构。高电阻率硅衬底（４０）由粘合层（３０）覆盖。聚合物薄膜（２０）淀积于图案化金属层１之上，该金属层１淀积于粘合层之上。在聚合物薄膜上淀积顶部金属层２并图案化以形成ＣＰＷ传输线。对金属２上的ＣＰＷ传输线的中央导体施加单偏置电压并影响聚合物的介电特性。聚合物的介电常数和损耗因数通过测量扫频散射参数和将实验频率响应与模型化频率响应匹配而作为电场和温度的函数导出。在宽的温度范围上利用该测试结构可以准确地特征化聚合物的传导特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚合物介电特性的特征化技术本专利技术涉及用于聚合物薄膜特征化的测试结构；尤其涉及在施加 的电场下，用于非线性光学(NLO)聚合物薄膜在宽频带范围和宽温度范围内的特征化的有效且高效率的测试结构。聚合物薄膜因其易加工性，低光学和微波损失及低成本，引起了 光学和光子学应用的关注。此外，在微波光子学装置例如高速光学调 制器的设计中，在宽频率范围内的聚合物的介电特性的易测量能力非 常重要。但是，新型的聚合物的介电特性可能不为所知。此外，了解 聚合物的在宽频率范围内的特性，诸如在光子学应用中的非线性光学 聚合物的电场以及温度函数，是有益的。因此，需要测量基于薄膜的聚合物的在宽频范围内作为电场和温 度的函数的介电特性。本专利技术提供了在用于光子学应用的非线性光学聚合物中的电场 极化。在一个实施方式中，基于共面波导的、具有两个端子的电容测试结构可用于脱氧核糖核酸(DNA )基聚合物或者其他电-光(EO ) 聚合物的电极化的特征化。高电阻率硅晶片被用作衬底。在高电阻率 硅晶片上直接涂敷(铬或者钛的)粘合层。在粘合层上淀积底部金属 层(金属l层)并图案化。在图案化了的底部金属层上淀积聚合物薄 膜。通过遮盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于确定聚合物薄膜的介电特性的容性测试结构，该结构包括：　　　　衬底；　　　　淀积在上述衬底上的图案化底部金属层，其中所述聚合物薄膜淀积在所述图案化底部金属层上；　　　　淀积在所述聚合物薄膜上的顶部金属电极，其中所述顶部金属电极被图案化以形成共面波导传输线。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：古鲁萨布拉曼亚姆，
申请(专利权)人：代顿大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]